1 国防科技大学气象海洋学院,湖南 长沙 410073
2 中国气象局高影响天气重点开放实验室,湖南 长沙 410073
回顾和总结了远红外高光谱大气遥感的理论基础,从大气吸收和冰晶粒子散射敏感性的角度介绍了远红外高光谱遥感冰云参数的优势。对远红外高光谱大气遥感仪器的发展脉络进行了梳理和总结,重点对相关仪器的参数及关键技术问题进行了讨论。概述了远红外高光谱冰云特性遥感的主要方法,展望了远红外高光谱技术未来在冰云探测中的应用潜力,并提出了研究思路与方案,以为后续远红外高光谱大气遥感技术研究提供一定的参考。
遥感 远红外 高光谱 冰云
1 国防科技大学气象海洋学院,湖南 长沙 410073
2 中国气象局高影响天气重点开放实验室,湖南 长沙 410073
准确获取飞秒激光成丝横截面图像及其沉积能量空间分布信息,对于成丝动力机制研究和促进诸多基于光丝的实际大气应用发展具有重要意义。本文基于热传导方程和波动方程构成的光声信号前向仿真模型,理论模拟了利用环阵式光声层析系统接收飞秒激光在空气介质中成丝诱导产生超声脉冲信号的过程;然后,利用延迟叠加算法对飞秒激光大气传输成丝沉积能量横向分布图像进行了反向重建,并分析了测量系统中关键器件超声换能器的中心频率、带宽、表面尺寸和探测表面灵敏度等性能参数对光丝沉积能量分布图像重建结果的影响。结果表明,单丝诱导产生的声压脉冲信号频谱为单峰结构,而多丝声压脉冲信号频谱为多峰结构;相比于单丝图像重建,多丝图像重建受“孔径效应”影响更显著;换能器的性能参数对光丝图像的重建效果有显著的影响,换能器的带宽越大、表面直径越小,以及表面灵敏度系数越大,越有利于光丝沉积能量分布图像重建效果的提升。该研究结果可为真实大气条件下飞秒激光传输成丝沉积能量空间分布的实验测量提供一定的理论支撑。
飞秒激光 激光成丝 能量沉积 光声信号 超声换能器 反投影 光学学报
2024, 44(12): 1201011
Author Affiliations
Abstract
1 Institute of Physics and Electronic Information, Yunnan Normal University, Kunming 650500, China
2 Yunnan Key Laboratory of Optoelectronic Information Technology, Kunming 650500, China
3 Key Laboratory of Advanced Technique & Preparation for Renewable Energy Materials, Ministry of Education, Yunnan Normal University, Kunming 650500, China
Organic–inorganic hybrid perovskite formamidinium lead bromide nanosheet (FAPbBr3 NS) is regarded as a superior substance used to construct optoelectronic devices. However, its uncontrollable stability seriously affects its application in the field of photodetectors. In this paper, FAPbBr3 is combined with cadmium sulfide nanobelt (CdS NB) to construct a hybrid device that greatly improves the stability and performance of the photodetector. The response of the FAPbBr3 NS/CdS NB detector under 490 nm light illumination reaches 5712 A/W, while the response of the FAPbBr3 photodetector under equivalent conditions is only 25.45 A/W. The photocurrent of the FAPbBr3 NS/CdS NB photodetector is nearly 80.25% of the initial device after exposure to air for 60 days. The difference in electric field distribution between the single material device and the composite device is simulated by the finite-difference time-domain method. It shows the advantages of composite devices in photoconductive gain and directly promotes the hybrid device performance. This paper presents a new possibility for high stability, fast response photodetectors.
organic–inorganic hybrid perovskite stability finite-difference time-domain photodetector Chinese Optics Letters
2024, 22(2): 022502
1 中国科学院 高能物理研究所,北京 100049
2 散裂中子源科学中心,广东 东莞 523803
中国散裂中子源(CSNS)靶站质子束窗位于环到靶站输运线(RTBT)与靶站交接面,起到隔离加速器高真空和靶站氦气环境的作用。随着束流功率提高,目前质子束窗单层膜结构形式已无法满足CSNS-II 500 kW的高功率需求,因此开展CSNS-II质子束窗研制,设计出双层膜中间通水的冷却结构,完成质子束窗双层膜的薄膜半径、薄膜厚度、水冷槽长度与宽度、对流换热系数等各参数对质子束窗温升与热应力的影响分析。通过冷却水需求分析得出,冷却水流速需大于15 L/min。通过质子束窗主体的流固耦合分析,消除箱体内部死水区域。最终优化后质子束窗薄膜位置最高温度47.8 ℃,薄膜位置最高热应力30.758 MPa。通过FLUKA软件对质子束窗材料的辐照损伤性能进行分析,在每年5000 h工作时长、500 kW高功率束流的辐照下,辐照损伤DPA计算值为1.285 DPA,质子束窗的安全使用寿命在7年以上。
质子束窗 热分析 流固耦合分析 辐照损伤 proton beam window thermal analysis fluid structure coupling analysis irradiation damage 强激光与粒子束
2023, 35(12): 124005
强激光与粒子束
2023, 35(10): 106002
1 1.山东大学 新一代半导体材料研究院, 晶体材料国家重点实验室, 济南 250100
2 2.齐鲁工业大学(山东省科学院) 材料科学与工程学院, 济南 250353
相比于第一代和第二代半导体材料, 第三代半导体材料具有更高的击穿场强、电子饱和速率、热导率以及更宽的带隙, 更适用于制备高频、大功率、抗辐射、耐腐蚀的电子器件、光电子器件和发光器件。氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表之一, 是制作蓝绿激光、射频微波器件和电力电子器件的理想衬底材料, 在激光显示、5G通信、相控阵雷达、航空航天等领域具有广阔的应用前景。氢化物气相外延(Hydride vapor phase epitaxy, HVPE)方法因生长设备简单、生长条件温和和生长速度快而成为制备GaN晶体的主流方法。由于普遍使用石英反应器, HVPE法生长获得的非故意掺杂GaN不可避免地存在施主型杂质Si和O, 使其表现出n型半导体特性, 但载流子浓度高和导电率低限制了其在高频大功率器件中的应用。掺杂是改善半导体材料电学性能最普遍的方法, 通过掺杂不同掺杂剂可以获得不同类型的GaN单晶衬底, 提高其电化学特性, 从而满足市场应用的不同需求。本文介绍了GaN半导体晶体材料的基本结构和性质, 综述了近年来采用HVPE法生长高质量GaN晶体的主要研究进展; 对GaN的掺杂特性、掺杂剂类型、生长工艺以及掺杂原子对电学性能的影响进行了详细介绍。最后简述了HVPE法生长掺杂GaN单晶面临的挑战和机遇, 并展望了GaN单晶的未来发展前景。
氮化镓 氢化物气相外延 掺杂 晶体生长 综述 gallium nitride hydride vapor phase epitaxy doping crystal growth review
1 山东大学晶体材料国家重点实验室,新一代半导体材料研究院,济南 250100
2 齐鲁工业大学(山东省科学院),材料科学与工程学院,济南 250353
宽禁带氮化镓(GaN)材料以其独特的性质和应用前景成为国内外研究的热点,高质量GaN单晶衬底的制备是获得性能优异的光电子器件和功率器件的基础。钠助熔剂法生长条件温和,易获得高质量、大尺寸的GaN单晶,是一种具有广阔商业化前景的GaN单晶生长方法。钠助熔剂法自20世纪90年代末期被发明以来,经过20多年的发展,钠助熔剂法生长的晶体在尺寸与质量上都取得了长足的进步。本文从晶体生长原理和关键工艺(籽晶选择、温度梯度以及添加剂)等方面综述了钠助熔剂法生长GaN单晶研究进展,并对其面临的挑战和未来发展趋势进行了展望。
氮化镓单晶 钠助熔剂法 原料比 温度梯度 添加剂 籽晶 gallium nitride single crystal sodium flux method raw material ratio temperature gradient additive seed crystal