1 江苏大学材料科学与工程学院,江苏 镇江 212013
2 江苏大学微纳光电子与太赫兹技术研究院,江苏 镇江 212013
3 江苏大学机械工程学院,江苏 镇江 212013
采用不同能量密度的激光对制备的Ag/FTO/AZO多层薄膜进行光栅结构刻蚀,分析激光刻蚀后薄膜的表面形貌、光学性能和电学性能的变化,并确定薄膜获得最佳性能时的激光能量密度。结果表明,以一定的激光能量密度对薄膜进行光栅结构刻蚀处理,不仅能有效提高薄膜的抗反射能力,还能产生附加退火作用,促使薄膜晶粒生长,减少晶界面积,从而减少晶界的光子和载流子的散射损失,提高载流子的迁移率,最终提高薄膜的透过率,优化薄膜的导电性能,实现薄膜的光学性能和电学性能的优化。
激光加工 Ag/FTO/AZO薄膜 光栅结构 光学性能 电学性能
北京工业大学 信息学部 光电子技术教育部重点实验室, 北京 100124
采用双靶共溅射的方法制备了光电性能较好的掺Al氧化锌(AZO)薄膜,利用X射线衍射仪、霍尔测试仪、SEM等多种技术手段研究了不同的Al溅射功率和快速退火条件对AZO薄膜的影响,发现AZO薄膜在Al溅射功率为15W、退火温度为400℃时性能最佳。当Al溅射功率为15W时,其电阻率最低为6.552×10-4Ω·cm,可见光波段(400~700nm)平均透过率超过92%。随着Al溅射功率的增大,可见光波段的透过率逐渐减小,红外波段(2.5~20μm)的透过率逐渐增大,最大为40%。
AZO薄膜 双靶共溅射 Al溅射功率 快速退火 红外 AZO film dual target co-sputtering Al sputtering power rapid annealing infrared
采用溶胶-凝胶法制备了掺杂摩尔分数为5%~20% 的Al掺杂ZnO(AZO)高电阻薄膜,采用正方形电阻法表征了薄膜的方块电阻,采用扫描电子显微镜(SEM)对薄膜形貌进行了表征,采用Nano Measurer 1.2软件测量了薄膜晶粒的平均粒径,采用分光光度计表征了薄膜的光谱透过率。当Al掺杂摩尔分数为5%~20%时,方块电阻在2~405 MΩ/□之间逐渐增大,晶粒尺寸在24.35~17.53 nm之间逐渐减小,可见光透过率可达80%左右。制备了不同Al掺杂摩尔分数的AZO高电阻层的模式控制型液晶透镜并研究了其光学干涉特性,掺杂摩尔分数在10%~15%之间,AZO薄膜可满足液晶透镜对薄膜透明度和方块电阻的要求。
溶胶-凝胶法 AZO薄膜 方块电阻 液晶透镜 模式控制 Sol-Gel AZO film sheet resistance liquid crystal lens modal control
西安建筑科技大学材料科学与工程学院功能材料研究所, 陕西 西安 710055
随着全球资源的减少和环境的恶化, 节能减排已成为人们关注的焦点, 具有保温隔热功能的低辐射玻璃成为研究的热点。 提高玻璃保温隔热性能最有效的方法就是在其表面涂覆低辐射率层。 原材料丰富、 导电性能好、 可见光透过率高等优势使得Al掺杂ZnO (AZO)薄膜成为最具潜力的低辐射率层。 系统研究了温度对AZO薄膜红外辐射性能的影响, 分析了变化机理。 首先研究了在一定的温度下持续一段时间后, AZO薄膜的红外比辐射率的变化情况。 然后研究了在变温环境中红外比辐射率的变化情况。 采用直流磁控溅射法在室温下玻璃基片上沉积500 nm厚的AZO薄膜, 将薄膜放到马弗炉中进行热处理, 在100~400 ℃空气气氛下保温1 h, 随炉冷却。 采用X射线衍射仪对AZO薄膜进行物相分析, 采用扫描电子显微镜观察薄膜表面形貌变化。 利用四探针测试法测量AZO薄膜的电阻率, 采用红外比辐射率测试仪测试薄膜红外比辐射率, 可见分光光度计测量可见光谱。 测试的结果表明, 薄膜热处理前后均为六角纤锌矿结构, (002)择优取向。 300 ℃及以下热处理1 h后, (002)衍射峰增强, 半高宽变窄, 晶粒尺寸长大。 随着热处理温度的升高, 薄膜的电阻率先减小后增大, 200 ℃热处理后的薄膜具有最小的电阻率(0.9×10-3 Ω·cm)。 热处理温度升高, 晶粒长大使得薄膜电阻率降低。 热处理温度过高, 薄膜会从空气中吸收氧, 电阻率下降。 薄膜的红外比辐射率变化趋势和电阻率的一致, 在200 ℃热处理后获得最小值(0.48)。 自由电子对红外光子有较强的反射作用, 当电阻率低, 自由电子浓度高的时候, 更多的红外光子被反射, 红外辐射作用弱, 红外比辐射率小。 薄膜的可见光透过率随着热处理温度的升高先减小后增大, 200 ℃热处理后的薄膜的可见光透过率最小, 但仍高达82%。 这种变化是由于自由电子浓度变化引起的, 自由电子对可见光有很强的反射作用。 选取未热处理和200 ℃热处理后的样品进行变温红外比辐射率的测量, 将样品放在可加热的样品台上, 位置固定, 在室温到350 ℃的升温和降温过程中每隔25 ℃测量一次红外比辐射率, 结果表明, 在室温到350 ℃的温度范围内, AZO薄膜的红外比辐射率在升温过程中随着温度的上升而增大, 在降温过程中减小, 经过整个升、 降温过程后, 薄膜的红外比辐射率增大。
AZO薄膜 直流磁控溅射 红外辐射性能 温度 透射光谱 AZO film DC magnetron sputtering Infrared emission performance Temperature Transmittance spectra 光谱学与光谱分析
2019, 39(6): 1975
上海理工大学 光电信息与计算机工程学院, 上海 200093
非晶硅薄膜太阳能电池主要采用掺氟氧化锡(FTO)导电玻璃作为基板, 但FTO薄膜雾度较低、表面形貌无法优化, 导致无法得到较优的陷光结构, 从而限制了太阳能电池的转换效率。为了进一步提升太阳能电池的转换效率, 探讨了替代型的掺铝氧化锌(AZO)薄膜, 通过优化前段磁控溅射镀膜工艺和后段湿化学蚀刻工艺, 用以平衡AZO薄膜的光电性能和雾度, 从而获得具有理想表面形貌的AZO导电玻璃, 使其成为理想的非晶硅薄膜太阳能电池的基板材料。实验表明, 经工艺优化后制作的AZO导电玻璃可提升光电转换效率。
AZO薄膜 磁控溅射 湿法刻蚀 表面形貌 非晶硅薄膜太阳能电池 AZO thin film sputtering wet-etching surface morphology amorphous silicon thin film solar cells
1 中山大学光电材料与技术国家重点实验室, 广东 广州 510275
2 广东腾胜真空技术工程有限公司, 广东 肇庆 526020
为了满足透明导电薄膜轻便、可折叠、高分辨率及快速响应的需求,在AZO单层透明导电薄膜研究基础上,尝试在柔性PET衬底上制备AZO/Ag/AZO三层透明导电薄膜。先利用光学薄膜设计软件对膜系进行设计优化,再参照此优化值制备研究不同AZO、Ag层对AZO/Ag/AZO薄膜光电性能的影响。通过合理的实验设计与对比,发现在柔性PET衬底上制备的三层AZO薄膜与在硬质衬底上制备的薄膜光电性能相当,且当三层AZO/Ag/AZO薄膜中AZO层厚度在40~45 nm,Ag层厚度8 nm时,在可见光波段的透过率高达到92%,电阻率低至4.0×10-5Ω·cm,透明导电薄膜的品质因子最高为12.6×10-2Ω-1。得到的AZO/Ag/AZO三层透明导电薄膜具有与常见的ITO薄膜相比拟的性能。
透明导电薄膜 三层结构AZO薄膜 柔性衬底 直流磁控溅射 膜系优化 transparent conductive film triple AZO/Ag/AZO thin films flexible substrates DC magnetron sputtering coating optimization
常熟理工学院物理与电子工程学院, 江苏 常熟 215500
采用直流磁控溅射方法,以K9玻璃为衬底制备掺铝氧化锌(ZnO:Al,AZO)薄膜。在300℃真空条件下对样品进行退火处理,研究不同退火时间对薄膜内部微观结构、表面形貌及光学特性的影响。结果表明,最佳退火时间为2 h,此条件下的AZO薄膜具有较强的(002)衍射峰,晶粒尺寸为17.2 nm,表面结构平整致密,紫外-可见波段的平均透射率为93.47%,光学带隙为3.41 eV。
薄膜 AZO薄膜 磁控溅射 微观结构 表面形貌 紫外-可见透射 光学学报
2015, 35(s1): s131001
研究了AZO(ZnO∶Al)替代ITO透明导电膜在GaN基LED中的应用,通过脉冲激光沉积和磁控溅射法制作了AZO薄膜,分析了AZO与p型GaN不良的欧姆接触的物理机理,并利用插入ITO薄层来改善接触电阻,实验用ITO 20nm/AZO 500nm的复合导电薄膜做透明导电薄膜,成功得到了波长为525.74nm、亮度为380.88mcd、电压为3.35V的GaN基绿光LED芯片,相当于单一ITO透明导电膜的性能,整个试验工艺中减少了ITO的使用量,降低了LED芯片的制造成本。
AZO薄膜 透明导电薄膜 脉冲激光沉积 欧姆接触 AZO film GaN LED GaN LED transparent conductive layer pulsed laser deposition ohmic contacts
深圳大学材料学院 深圳市特种功能材料重点实验室, 广东 深圳 518060
采用射频磁控溅射法, 在石英玻璃衬底上制备出了性能良好的H掺杂AZO透明导电薄膜, 通过XRD、Hall、UV-Vis等测试手段, 研究了氩气气氛中退火温度对薄膜电学热稳定性的影响。实验结果显示, 随着退火温度的升高, 薄膜中载流子的浓度和迁移率下降。分析认为, 这与薄膜中氢的逸出密切相关。
H掺杂AZO薄膜 氩气退火 热稳定性 Hall测试 HAZO films post-annealing treatment thermal stability hall effect
上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海 200093
利用射频溅射方法,制得 AZO透明导电膜,并用离子束刻蚀制备绒面,得到绒面 AZO透明导电膜。比较刻蚀前后光电性能及表面形貌,发现透过率稍有下降,在可见光波段透过率在 80%以上;电阻率略有上升,但仍保持在 10-3.·cm数量级,最低为 2.91×10-3.·cm;刻蚀后薄膜表面形貌变化较大,大多数薄膜表面呈现 “坑状”结构,横向尺寸在 0.5~1.0 μm,开口角在 120°左右,表面粗糙度从 7.29 nm上升到 36.64 nm。薄膜具有较好的表面微结构,在作太阳能电池前电极方面有较好的应用前景。
AZO薄膜 绒面结构 太阳能电池 离子束刻蚀 AZO thin film surface-textured solar cell ion etching