使用现有生产线上工艺成熟且成本低廉的技术实现ITO粗化以提高GaN基LED蓝光芯片的出光效率是产业界重要的研究课题。本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术, 实现ITO表面粗化, 有效地提高了LED芯片的输出光功率。输入电流为20 mA时, ITO层制备密集分布的三角周期圆孔阵列后, 芯片输出光功率提升11.4%, 但正向电压升高0.178 V; 微结构优化设计后, 芯片输出光功率提升8.2%, 正向电压仅升高0.044 V。小电流注入时, 密集分布的三角周期圆孔阵列有利于获得较高的输出光功率。大电流注入时, 这种结构将导致电流拥挤, 芯片的电光转化效率衰减严重。经过优化设计后的微结构阵列器件, 具有较高的电注入效率, 因此芯片的出光效率较高且随输入电流的增加而衰减的趋势较慢, 因此更适合大电流下工作。

主要介绍了在NaOH溶液中，利用电化学技术腐蚀制备多晶硅绒面的新方法。实验中，通过改变腐蚀液浓度、腐蚀电压、腐蚀温度等因素，制得一系列多晶硅绒面。实验结果表明，当腐蚀碱液浓度为20%，腐蚀电压为20V，腐蚀温度为25℃时，腐蚀得到的硅片表面比较均匀，在波长400~800nm范围内，测量得表面反射率最低为19%左右。

利用射频溅射方法，制得 AZO透明导电膜，并用离子束刻蚀制备绒面，得到绒面 AZO透明导电膜。比较刻蚀前后光电性能及表面形貌，发现透过率稍有下降，在可见光波段透过率在 80%以上；电阻率略有上升，但仍保持在 10-3.·cm数量级，最低为 2.91×10-3.·cm；刻蚀后薄膜表面形貌变化较大，大多数薄膜表面呈现 “坑状”结构，横向尺寸在 0.5～1.0 μm，开口角在 120°左右，表面粗糙度从 7.29 nm上升到 36.64 nm。薄膜具有较好的表面微结构，在作太阳能电池前电极方面有较好的应用前景。