南京大学物理学院与电子科学与工程学院， 江苏 南京 210093
采用等离子体化学气相沉积技术制备了两种不同非晶硅层厚度的氮化硅/氢化非晶硅/氮化硅三明治结构，研究了不同能量激光退火对薄膜晶化的影响。通过拉曼分析，发现在激光能量为320 mJ时，样品开始晶化，随着能量的提高晶化程度增加，在340 mJ时达到最大。根据拉曼晶化峰的偏移，计算得出硅量子点尺寸为2.8 nm和4.7 nm，表明三明治结构对形成的硅量子点的尺寸具有限制作用。设计并制备了基于该结构的电致发光器件，在偏压大于10 V时，在室温下可观测到电致发光。发现不同激光能量下晶化后的样品的电致发光强度不同，发光峰位在680 nm和720 nm附近。分析表明电致发光来源可以归结为电子空穴对在硅量子点中的辐射复合发光。
光电子学 硅量子点 激光晶化 电致发光
讨论了一种新的一维深亚波长光栅,其周期结构由等离子体增强化学气相淀积法(PECVD)制备的周期性多层膜构成.简单介绍了这种深亚波长光栅的制作方法.采用严格耦合波分析(RCWA)理论计算了这种一维深亚波长光栅的衍射效率,分析了它的偏振特性.
一维深亚波长光栅 严格耦合波分析 偏振特性
南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,江苏南京,210093
利用准分子激光干涉结晶法使a-Si:H/a-SiNx:H多层膜中的超薄a-Si:H层定域晶化,成功地制备出三维有序分布的nc-Si阵列.原子力显微镜(AFM)、微区拉曼(micro-Raman)光谱及剖面透射电子显微镜(X-TEM)的分析结果揭示在晶化薄膜中已形成平均尺寸约为3.6 nm,横向周期2 μm,纵向周期与a-Si:H/a-SiNx:H多层膜周期(14 nm)相等的nc-Si阵列.
激光晶化 纳米硅 微结构 移相光栅
介绍了一种双通道自聚焦的匹配滤波器。它是在计算全息的基础上,通过对两个物的傅里叶谱或共轭谱分别加正的或负的二次相位因子,求和后进行编码、制图、缩微而得,该滤波器可以分别对两个物实现匹配。文中还给出了与理论相符的实验结果。
双通道 计算全息 匹配滤波器 二次相位因子
1 湛江海洋大学访问学者。
2 南京大学物理系 南京 210093
介绍了一种自聚焦型计算全息的匹配滤波器。它通过对物体的共轭傅里叶谱加二次位相因子后编码、缩微而成。由于它具有自聚焦的功能,从而可以使光路大为简化,调节方便,适用于不同缩放比的物。给出了与理论一致的实验结果。
匹配滤波器 二次位相因子 计算全息
采用Gerchberg-Saxton(G-S)的迭代算法,在物域和频域之间进行多次迭代,使频谱的振幅大致为常数,并对频谱的位相进行量化,用二元光学技术制成了8台阶反射式相息图(kino-form),再现时获得了清晰的像,衍射效率较高。
相息图 二元光学技术 计算全息
提出在傅里叶计算全息中,只要对虚拟物的频谱进行简单的坐标变换,就可获得虚拟物再现像的旋转、切变和翻转,阐明了此种坐标变换的原理,给出了与理论相符合的实验结果。
计算全息 傅里叶频谱 坐标变换
南京大学物理系固体微结构物理实验室, 南京 210008
利用理论模型求得了脉冲激光辐照半导体薄膜材料的温度场解析解。结合KrF准分子脉冲激光对淀积在熔凝石英衬底上的a-SiH薄膜以及a-Si:H/a-SiNx:H多量子阱结构材料的热退火处理,分析了膜厚、激光能量密度以及a-Si:H/a-SiNx:H多量子阱结构材料中的子层厚度比对温度场性质及a-Si:H薄膜的晶化效果的影响。
激光辐照 温度场 晶化 非晶硅 多量子阱
报道了用氢化非晶硅(α-Si:H)pin二极管作光敏层，扭曲向列型液晶(TnLC)作电光调制层的光寻址空间光调制器(OASLM)的设计、制作与性能测试.结果表明制得的(OASLM)分辨率大于20Lp/MM；在300Lux白光写入时对比度高于25:1；白光写入灵敏度约3Lux。
氢化非晶硅 pin二极管 扭曲向列型液晶 光寻址空间光调制器
介绍了一种二元光学光束分束器，这种分束器可使分出的两光束强度比连续可调，文中给出了理论和实验结果。
二元光学 光束分束器
