利用高温固相法制备了一系列不同Pr³⁺掺杂浓度的CsLa（WO₄）₂荧光粉，测试了X射线衍射（XRD）、漫反射光谱、激发光谱、发射光谱与荧光衰减曲线，讨论了光致发光光谱与浓度、温度的联系，并基于荧光强度比（FIR）技术计算得出温度传感相关参数。CsLa（WO₄）₂∶Pr³⁺主要呈现源自³P₀和¹D₂能级的发射，对应的最佳掺杂浓度分别为0.03和0.01，经证实电偶极⁃电偶极相互作用导致了浓度猝灭。³P₀与¹D₂能级的发射随温度变化趋势不同，这主要归因于Pr³⁺⁃W⁶⁺的价间电荷迁移（IVCT）、交叉弛豫（CR）和多声子弛豫（MPR）等过程的综合作用。由于上述发射表现出不同的浓度和温度依赖特性，实现了颜色可调谐发光。基于³P₁→³H₅/³P₀→³H₄热耦合能级对和¹D₂→³H₄/³P₀→³H₄非热耦合能级对的FIR，计算得到相对灵敏度分别为586.01/T² K^-1和1 071.78/T² K^-1，表明该材料在温度传感领域具有潜在应用价值。

利用高温固相法在1 200℃制备了一系列红色荧光粉（Y_1-x）₆TeO₁₂：xEu³⁺（x=0.1~0.5）材料。对样品进行了X射线衍射、形貌特征、激发和发射光谱、浓度猝灭、热稳定性、荧光衰减曲线以及发光二极管封装与光色电性能等方面的分析与探究。结果表明：该红色荧光粉样品能被近紫外光（393 nm处）和蓝光（464 nm处）有效激发，在632 nm处表现出较强的红光发射。根据荧光强度与掺杂浓度的变化趋势，确定出最佳Eu³⁺掺杂量为x=0.3，更多的掺杂量引起浓度猝灭。进一步分析激活剂Eu³⁺间能量传递类型，得出电偶极-电偶极作用导致了浓度猝灭。（Y_0.7）₆TeO₁₂：0.3Eu³⁺在150℃时积分发光强度是室温的76.5%，热激活能为0.196 9 eV。该样品的荧光寿命为813 μs，色坐标值为（0.637 6，0.343 1），并基于板上芯片工艺进行了发光二极管封装，对光色电性能进行了表征。（Y_1-x）₆TeO₁₂：xEu³⁺荧光粉表现出了良好的发光特性、发光热稳定性及色纯度，在白光发光二极管中具有潜在的应用价值。

为了实现超高分辨力的微位移测量，建立了基于光纤布拉格光栅传感的高灵敏度探针系统，研究了静态锁相放大技术，用于检测小于纳米量级的微位移信号。根据光纤布拉格光栅传感原理，设计了高灵敏度的双光栅自补偿解调系统结构。基于信号特征研究了静态锁相放大技术，用于实时检测处理微弱测量信号。最后，通过探针系统的性能测试实验可获得灵敏度和分辨力等参数。实验结果表明：探针系统在接触区域的微位移测量范围约为1μm，灵敏度为-15.33mV/nm，短期噪声极差的均值为0.83 mV，标准差为0.32 mV，信号处理分辨力约为0.06nm （60pm），其标准差为0.02nm （20pm）。该系统采用光纤布拉格光栅传感技术达到了皮米量级的微位移信号处理分辨力，满足微纳测量系统的抗干扰性强、重复性好等要求，且系统成本较低。

以天然矿物纤水镁石为模板、蔗糖为碳源制备多孔碳纳米管, 并以硫脲为氮、硫源, 采用水热法制备氮/硫共掺杂的碳纳米管。结果表明, 掺杂碳纳米管继承了纤水镁石模板的柱状结构, 呈现中空管状, 增大了模板炭的比表面积和孔容。在6 mol·L^-1 KOH电解液中, 电流密度为1 A·g^-1时, 未掺杂碳纳米管的比电容为62.2 F·g^-1, 氮掺杂之后碳纳米管的比电容为97.0 F·g^-1, 氮/硫共掺杂的碳纳米管比电容为172.0 F·g^-1, 氮/硫共掺杂后碳纳米管的电化学性能比未掺杂的提高近3倍; 循环1000次电容保持率达89%, 说明掺/硫共掺杂碳纳米管具有良好的电化学性能。此外, 组装的对称型超级电容器同样展示了良好的电容性能。

Chalcopyrite Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) thin films deposited in a low-temperature process (450°C) usually produce fine grains and poor crystallinity. Herein, different Ag treatment processes, which can decrease the melting temperature and enlarge band gap of the CIGS films, were employed to enhance the quality of thin films in a low-temperature deposition process. It is demonstrated that both the Ag precursor and Ag surface treatment process can heighten the crystallinity of CIGS films and the device efficiency. The former is more obvious than the latter. Furthermore, the Urbach energy is also reduced with Ag doping. This work aims to provide a feasible Ag-doping process for the high-quality CIGS films in a low-temperature process.

A passively Q-switched erbium-doped fiber (EDF) laser is proposed and demonstrated utilizing a zirconium disulfide (ZrS₂)-based saturable absorber (SA). ZrS₂ nanosheets are prepared, whose modulation depth, saturation intensity, and nonsaturable absorbance are measured to be 14.7%, 0.34 MW/cm², and 17.4%, respectively. Then, a Q-switched EDF laser is implemented by the ZrS₂-SA. The pulse repetition rate varies from 40.65 to 87.1 kHz when the pump power changes from 55 to 345 mW. The shortest pulse width is 1.49 μs with pulse energy of 33.5 nJ. As far as we know, this is the shortest pulse width obtained by a ZrS₂-SA so far.