1 昆明物理研究所,云南,昆明,650223
2 南开大学物理科学学院光子学中心,天津,300071
利用拉曼显微镜在室温下对金属有机化合物气相外延(MOVPE)和液相外延(LPE)方法生长的Hg1-xCdxTe薄膜材料以及用加速坩埚旋转布里奇曼(ACRT-Bridgman)和Te溶剂方法生长的Hg1-xCdxTe体材料进行了系统研究. 在上述4种方法生长的材料的显微拉曼光谱中,均发现在导带底上方且远高于材料导带底对应能级的显微荧光发光峰. 通过详细比较可以判定,高于导带底约1.5eV的显微荧光起源于Hg1-xCdxTe材料中的Te离子空位与材料导带底的共振能级发光,从而确定在碲镉汞材料中存在一个稳定的Te离子空位共振能级。
Hg1-xCdxTe材料 Te离子空位 显微荧光 拉曼显微镜. Hg1-x CdxTe materials Te ion vacancies micro-photoluminescence Raman microscopy.
1 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083
2 中国科学院上海技术物理研究所,功能材料器件中心,上海,200083
提出并实现了用微米级空间分辨率的显微光致发光(μ-PL)平面扫描谱对CdZnTe(CZT)晶片的表面亚微米层特性研究.在含缺陷区域进行微米尺度和在大面积范围内进行毫米尺度的逐点PL测量.对测得每一点的PL谱进行了拟合.拟合参数中等效温度Tc的统计分布给出两个分布中心,表明存在有两种机制的发光过程.同时统计结果给出发光各点的不均匀性.等效温度的平面分布图直观地给出了各温度的平面位置，样品经溴抛光后重复类似的测量,结果表明等效温度的统计均匀性大为改善.抛光后的不同的缺陷点表现出不同的发光特性,意味着各自起源的不同.大面积PL扫描的统计结果和平面分布给出样品特性的整体评价.
CdZnTe晶体 显微光致发光 平面扫描 等效温度. CdZnTe crystal micro-photoluminescence mapping effective temperature.
