作者单位
摘要
复旦大学 信息科学与工程学院 纳米光刻与应用科研组,上海200433
为了开发新的X射线准直器,利用电子束光刻(EBL)技术,结合电镀和湿法化学刻蚀工艺,在悬空的Si3N4隔膜上制作了大面积、高深宽比、微米周期的Au光栅。调整场拼接区域的曝光剂量解决了大面积的EBL光刻问题;用加强筋结构克服了制作高深宽比、高密度光刻胶模板时线条倒塌问题;通过在Si3N4隔膜下面保留很薄一层Si(25 nm 厚)和改善显影工艺,克服了厚光刻胶在300 nm 厚的Si3N4隔膜上显影时,光刻胶的断裂问题。实验结果显示,所制备的2 μm周期、深宽比为5.5,面积为400 μm×1 000 μm 的Au光栅可以对光子能量为8 keV的X射线进行调制。所制备的Au光栅狭缝可以用作线平行X射线断层成像系统的探测器准直器件,或面平行X射线断层成像系统的光源准直器件,提高系统的成像速度。
X射线准直器 Au光栅 电子束光刻 大深宽比 金电镀 X-ray collimator Au grating electron beam lithography large aspect ratio Au electroplating 
光学 精密工程
2022, 30(10): 1181
作者单位
摘要
1 南昌大学 材料科学与工程学院, 江西 南昌 330001
2 南昌大学 江西省轻质高强结构材料重点实验室, 江西 南昌 330001
3 南昌大学 前湖学院, 江西 南昌 330001
以Gd2O3、SiO、稀土氧化物为原料采用高温固相法制备了Gd2(1-x)SiO5∶2xRE荧光粉体。X射线衍射分析结果表明Gd/Si配比为1.9, BaF2助熔剂用量为5‰, 煅烧条件为1 500 ℃保温3 h得到结晶良好的Gd2SiO5及Gd2SiO5∶RE粉体。光谱分析表明, Gd2SiO5∶Eu荧光粉末激发波段为250~470 nm, 而Gd2SiO5∶Tb为250~320 nm; 前者发射主峰为620 nm(与Eu3+的5D0→7F2对应), 后者为548 nm(与Tb3+的5D4→7F5对应); Eu3+和Tb3+的最佳掺杂量为7%。fa(E) 和发射带fe(E)交叠越大, 则电偶极-电偶极作用机制的跃迁几率越高, Gd3+-Tb3+能带交叠程度大于Gd3+-Eu3+, Tb3+的量子效率要高于Eu3+。
硅酸钆盐 光谱分析 能量传递 高温固相反应法 gadolinium silicate photoluminescent spectra energy transfer high temperature solid-state method 
发光学报
2019, 40(1): 9

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