为了开发新的X射线准直器，利用电子束光刻（EBL）技术，结合电镀和湿法化学刻蚀工艺，在悬空的Si₃N₄隔膜上制作了大面积、高深宽比、微米周期的Au光栅。调整场拼接区域的曝光剂量解决了大面积的EBL光刻问题；用加强筋结构克服了制作高深宽比、高密度光刻胶模板时线条倒塌问题；通过在Si₃N₄隔膜下面保留很薄一层Si（25 nm 厚）和改善显影工艺，克服了厚光刻胶在300 nm 厚的Si₃N₄隔膜上显影时，光刻胶的断裂问题。实验结果显示，所制备的2 μm周期、深宽比为5.5，面积为400 μm×1 000 μm 的Au光栅可以对光子能量为8 keV的X射线进行调制。所制备的Au光栅狭缝可以用作线平行X射线断层成像系统的探测器准直器件，或面平行X射线断层成像系统的光源准直器件，提高系统的成像速度。

CdZnTe晶片是HgCdTe外延薄膜的理想衬底。为了优化CdZnTe衬底的电学接触性能，作者基于真空蒸发法和磁控溅射法分别在p型导电性CdZnTe晶片（111）B （富碲面）制备Au/Cd复合电极。通过接触粘附试验，研究了复合电极的制备方法对电极与衬底之间的粘附性；利用卢瑟福背散射光谱法（RBS）比较了不同沉积方法下样品的元素深度分布；采用电流-电压（I-V）测试比较了两种制备工艺对Au/Cd复合电极与CdZnTe衬底欧姆接触特性的影响，从而确定了最佳复合电极的制备工艺。