作者单位
摘要
上海大学 材料科学与工程学院,上海200444
CdZnTe晶片是HgCdTe外延薄膜的理想衬底。为了优化CdZnTe衬底的电学接触性能,作者基于真空蒸发法和磁控溅射法分别在p型导电性CdZnTe晶片(111)B (富碲面)制备Au/Cd复合电极。通过接触粘附试验,研究了复合电极的制备方法对电极与衬底之间的粘附性;利用卢瑟福背散射光谱法(RBS)比较了不同沉积方法下样品的元素深度分布;采用电流-电压(I-V)测试比较了两种制备工艺对Au/Cd复合电极与CdZnTe衬底欧姆接触特性的影响,从而确定了最佳复合电极的制备工艺。
Au/Cd复合电极 沉积方法 势垒高度 CdZnTe CdZnTe composite electrode deposition method barrier height 
红外与毫米波学报
2020, 39(5): 595
作者单位
摘要
上海大学 材料科学与工程学院,上海 200072
研究了生长态和退火后Cd1-xMnxTe晶片的吸收边和红外透过性能.Cd1-xMnxTe晶体采用垂直Bridgman法生长,获得面积为30 mm×40 mm的(111)面Cd1-xMnxTe单晶片;晶片在Cd气氛下退火.近红外光谱表明, 吸收边的截止波长反映晶片的Mn含量范围为0.1887≤x≤0.2039,其中轴向成分波动差值约为0.0152,径向成分波动差值约为0.0013;x=0.2的Cd1-xMnxTe晶体吸收边的吸收系数变化范围为2.5~55 cm-1;退火后,晶体的吸收边位置没有变化,表明晶片中Mn含量未受到退火的影响.傅里叶变换红外透射光谱表明, 晶片在红外光波数为4000~500 cm-1范围的红外透过率为45%~55%;退火后,晶片的红外透过率提高到61%以上,接近理论值65%.
晶体生长 碲镉汞外延衬底 吸收边 红外透过率 退火 crystal growth HgCdTe epitaxial substrates absorption edge IR transmittance annealing treatment 
红外与毫米波学报
2012, 31(2): 113
作者单位
摘要
上海大学 材料科学与工程学院,上海200072
由于CdZnTe(CZT)探测器尺寸和能量分辨率受到工艺限制,采用电容性Frisch栅探测器结构,将多个薄的单元探测器并行叠加使其等效为大体积的探测器,用于克服单元小探测器探测效率低的缺点,同时单极电荷的几何结果有效克服了载流子的复合.探测器的电极接触为肖特基接触(In-p/CZT-AuCl3),进一步压缩了权重势,降低了噪声,降低了漏电流,从而得到大体积多元并行探测器的能量分辨率不受单元能量分辨率最差探测器的限制,并且探测效率为单元探测器的2.45~7.31倍.
电容性Frisch栅 肖特基 并行探测器 碲锌镉探测器 capacitive Frisch Schottky contact parallel detector CdZnTe detector 
红外与毫米波学报
2011, 30(6): 514
作者单位
摘要
上海大学 材料科学与工程学院, 上海200072
采用射频磁控溅射法在p型自支撑金刚石衬底上制备了高度c轴取向的n型氧化锌薄膜。研究了不同的溅射功率对氧化锌薄膜质量的影响。通过半导体特性分析系统测试了氧化锌/金刚石异质结的电流-电压特性, 结果显示该异质结二极管具有良好的整流特性, 开启电压约为1.6 V。在此基础上制备了结型紫外光探测器, 并对其光电性能进行了研究。结果表明, 在施加反向偏压的条件下, 该探测器对紫外光具有明显的光响应。
自支撑金刚石 氧化锌 探测器 异质结 freestanding diamond ZnO detector heterojunction 
发光学报
2011, 32(3): 272
作者单位
摘要
1 上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系, 上海 200072
2 上海联孚新能源科技有限公司, 上海 201201
3 上海西域机电系统有限公司, 上海 200137
椭圆偏振光谱法是一种非破坏性光谱技术。为了获得微波等离子体化学汽相沉积(MPCVD)金刚石薄膜的最佳沉积条件,用红外 椭圆偏振光谱仪对MPCVD金刚石薄膜的红外光学性能进行了表征测量,并分析了衬底温度和反应室的压强对金刚石 薄膜的红外光学性质的影响。当甲烷浓度不变,衬底温度为750℃,反应室的压强为4.0kPa时,金刚石膜的红外椭偏光学性质达到最 佳,其折射率的平均值为2.393。研究结果表明,金刚石薄膜的光学性能与薄膜质量密切相关,同时也获得了最佳的金刚石薄膜工艺 条件。
红外椭偏 光学性能 折射率 金刚石薄膜 infrared spectroscopic ellipsometry optical properties refractive index diamond thin films 
红外
2010, 31(11): 11
作者单位
摘要
上海大学 材料学院电子信息材料系,上海 200072
通过溶胶凝胶法和旋涂法成功制备了多种金属离子掺杂的介孔TiO2薄膜材料。小角X射线衍射谱和TEM测试结果表明Zn2+,Fe3+,Y3+掺杂的TiO2薄膜均具有较有序的介孔结构;掺入Zn2+,Fe3+的介孔TiO2薄膜孔径为7-9 nm,掺入Y3+离子后介孔孔径扩大至10.9 nm。通过透射光谱研究了三种离子掺杂对介孔TiO2薄膜光学性能的影响,并用Swanepoel包络法拟合了薄膜的折射率。结果表明,掺入Fe3+后,介孔TiO2薄膜光吸收带明显展宽,且具有丰富的表面能态;Y3+掺杂能抑制介孔TiO2纳米晶生长,有助于得到较大孔径的介孔TiO2薄膜。
薄膜光学 掺杂介孔TiO2 溶胶凝胶 透射光谱 折射率 
光学学报
2010, 30(6): 1841
作者单位
摘要
1 上海大学,材料科学与工程学院电子信息材料系,上海,200072
2 
采用红外椭圆偏振光谱仪对HFCVD方法所制备的不同取向金刚石薄膜的光学参数进行了测量.结果表明(001)取向金刚石薄膜具有较佳的光学质量,在红外波段基本是透明的.在2.5~12.5μm红外波长范围内,(001)取向金刚石膜的折射率和消光系数几乎不随波长的改变而变化,折射率为2.391,消光系数在10-5范围内;对于(111)取向金刚石膜,其折射率和消光系数随波长的改变有微小变化,折射率和消光系数都低于(001)取向膜.通过计算拟合得到(001)取向金刚石膜的介电常数为5.83,优于(111)取向膜.
CVD金刚石膜 红外椭圆偏振光谱 折射率 消光系数 
红外与毫米波学报
2006, 25(2): 86
作者单位
摘要
上海大学材料科学与工程学院,上海 200072
研究了两种器件结构(共平面和三明治)对金刚石薄膜辐射探测器性能的影响。研究表明,共平面结构器件在241Am 5.5MeV a粒子辐照下的计数率、电荷收集效率、响应电流和能量分辨率等性能参数均优于三明治结构。Raman散射测试表明,造成上述结果主要是由于金刚石薄膜的成核边和生长边具有不同的微结构特征而引起。
辐射探测器 金刚石薄膜 a粒子 
激光与光电子学进展
2005, 42(12): 32
作者单位
摘要
1 上海大学通信与信息工程学院光纤研究所, 上海 201800
2 上海大学材料科学和工程学院,上海 201800
随着光纤技术的飞速发展和应用,光纤无源器件顺应当前形势也获得很大的发展空间,其中光纤熔锥器件具有制作简单、性能可靠、价格便宜及技术指标优越等优点,从而广受青睐。在熔锥器件中,光纤耦合器是广为应用的基础元器件。目前为实现全光通信,光纤超平坦宽带耦合器则成为热点课题。利用特殊相位补偿工艺方法,研制出单模光纤超平坦宽带耦合器,其工作波长范围为1250~1650 nm,3 dB带内最大插损偏差小于等于0.4 dB,带内最大附加损耗小于等于0.1 dB,方向性(输入侧非注人光的一端的输出光功率与注人光功率的比值)大于等于66.5 dB,偏振相关性小于等于0.1 dB。研制方法有很高的成品率,可批量生产。
光纤技术 光纤器件 单模光纤耦合器 宽带 相位补偿 
光学学报
2004, 24(5): 663
作者单位
摘要
1 上海大学材料科学与工程学院,上海,201800
2 吉林大学材料系,长春,130023
通过升降温差热分析(DSC)曲线、偏光显微镜、紫外吸收光谱、电化学行为曲线以及多层器件等,研究了噁二唑衍生物小分子的电学和光学性质,发现其同时具有液晶性、电子和空穴传输性、发光性等优良性能.引进R-OXD(En)层后的多层器件在低于3 V时就能得到可见光发射,在7 V时可以得到光亮度为1000 cdm-2.此系列小分子可降低有机电致发光器件开启电压,提高发光亮度和发光效率,是一种非常具有吸引力的有机电致发光小分子.
有机电致发光 噁二唑衍生物 电子传输材料 
光子学报
2003, 32(6): 672

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