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Au/Cd复合电极沉积方法对其与(111)面CdZnTe衬底接触性能的影响
师好智 张继军 *王淑蕾 王振辉 [ ... ]夏义本 
作者单位
摘要
上海大学 材料科学与工程学院，上海200444
CdZnTe晶片是HgCdTe外延薄膜的理想衬底。为了优化CdZnTe衬底的电学接触性能，作者基于真空蒸发法和磁控溅射法分别在p型导电性CdZnTe晶片（111）B （富碲面）制备Au/Cd复合电极。通过接触粘附试验，研究了复合电极的制备方法对电极与衬底之间的粘附性；利用卢瑟福背散射光谱法（RBS）比较了不同沉积方法下样品的元素深度分布；采用电流-电压（I-V）测试比较了两种制备工艺对Au/Cd复合电极与CdZnTe衬底欧姆接触特性的影响，从而确定了最佳复合电极的制备工艺。
Au/Cd复合电极 沉积方法 势垒高度 CdZnTe CdZnTe composite electrode deposition method barrier height 
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红外与毫米波学报
2020, 39(5): 595
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