Zn2(OH)PO4(ZPOH)属于正交晶系, 其空间群为P21212, 该结构没有对称中心。基于赝势平面波方法, 计算了ZPOH的电子结构, 线性折射率和倍频(SHG)系数, 并拟合了色散方程。为了验证计算值, 使用水热法合成了ZPOH微晶, 实验测得其SHG效应与理论计算相符, 同时测试了ZPOH的紫外(UV)吸收边及其热稳定性。

基于同步辐射装置的As/S的K边及Fe的L边X射线吸收近边结构光谱（XANES）和X射线衍射（SR-XRD）, 结合扫描电镜（SEM）、 傅里叶红外光谱（FTIR）、 电感耦合等离子体发射光谱（ICP-AES）及各项浸出参数的测定, 系统研究了(中度嗜热菌、 嗜热硫化杆菌)浸出砷黄铁矿过程中铁、 砷、 硫的形态转化。 结果表明, 在生物作用下, 砷黄铁矿的溶解速率明显高于化学浸出体系, 伴随矿物溶解释放到溶液中的砷和铁在生物浸出体系中主要为As(Ⅴ)和Fe3+, 而在无菌化学浸出体系则主要为As(Ⅲ)和Fe2+; 细菌胞外多聚物（EPS）在细菌与硫化矿物的相互作用过程中起着至关重要的作用, FTIR的结果表明, 生物浸出体系中吸附在矿物表面的吸附菌的EPS中蛋白质和多糖的含量均高于游离菌EPS; SEM的结果表明, 砷黄铁矿表面在生物浸出过程中逐渐被腐蚀, 且有浸出产物覆盖, 而化学浸出10 d后, 矿物表面依旧比较光滑; SR-XRD的结果表明, 元素硫（S0）、 黄钾铁矾和砷酸铁在生物浸出第4 d生成, 并随时间延长逐渐累积, 最终成为浸出渣中的主要成分。Fe的L边XANES结果表明, 在细菌作用下矿物表面逐渐被Fe(Ⅲ)浸出产物覆盖; As的K边XANES结果表明, 浸出渣中砷的价态包括As(-Ⅰ), As(Ⅲ)和As(Ⅴ), 拟合结果表明, 经过10 d的生物浸出, 砷黄铁矿、 雌黄（As2S3）和砷酸铁在矿渣中所占的比例分别为18.6%, 23.5%和57.9%, 化学浸出10 d后, 矿渣中除未溶解的砷黄铁矿外, 仅有少量砷酸铁（6.2%）形成; S的K边XANES拟合结果表明, 经过10 d的生物浸出, 砷黄铁矿、 S0、 硫代硫酸盐、 施氏矿物和黄钾铁矾在矿渣中所占的比例分别为15.3%, 23.7%, 3.5%, 11.3%和46.2%, 而在化学浸出10 d后的矿渣中, 仅拟合到少量S0（7.8%）。 基于上述结果可以得出, 铁、 砷、 硫在砷黄铁矿生物作用下的形态转化过程分别为: Fe(Ⅱ)-Fe(Ⅲ), As(-Ⅰ)-As(Ⅲ)-As(Ⅴ), S-→S0→S2O2-3→SO2-4。 结合溶液中的浸出参数发现, 随着S0、 黄钾铁矾、 砷酸铁和雌黄的大量累积, 砷黄铁矿的生物浸出严重受阻。 硫代硫酸盐的生成表明砷黄铁矿的溶解途径与黄铁矿相似。

在北京同步辐射装置的4B7A中能X光束线上，光源能区为2.1~6.0 keV，能量分辨大于5000，高次谐波小于0.1%，光源强度大于109 光子/s。通过全能区多能点的透过率精确测量Ag样品质量厚度，然后采用Ag薄膜对单能X光子的透过率进行测量，给出了Ag薄膜在吸收边(3.4~3.9 keV)的衰减系数 。建立了Ag样品吸收边附近衰减系数同步辐射测量方法。通过不确定度分析给出衰减系数测量不确定度小于1％，填补了在该区间衰减系数的空白。

研究了非晶态碲镉汞(x＝0.2)薄膜的暗电导率随温度变化关系，发现非晶态结构的碲镉汞材料具有明显的半导体特性，其室温禁带宽度在 0.88～0.91 eV之间，与通过光学方法获得的结果相符。在 80～240 K的温度区间非晶态碲镉汞(x＝0.2)的暗电导率从 1×10—8Ω—1·cm —1缓慢增大到 5 ×10－8 Ω—1·cm —1，温度大于 240 K时，其电导率剧烈增大到 1×10—5 Ω—1·cm —1，说明在 240 K附近非晶态碲镉汞材料的导电机制发生了变化，这对非晶态碲镉汞材料的应用研究具有重要意义。还研究了退火过程对非晶态碲镉汞薄膜电导率的影响，结果表明 140℃退火后非晶态碲镉汞薄膜发生了部分晶化。

研究了生长态和退火后Cd1-xMnxTe晶片的吸收边和红外透过性能.Cd1-xMnxTe晶体采用垂直Bridgman法生长，获得面积为30 mm×40 mm的(111)面Cd1-xMnxTe单晶片；晶片在Cd气氛下退火.近红外光谱表明, 吸收边的截止波长反映晶片的Mn含量范围为0.1887≤x≤0.2039，其中轴向成分波动差值约为0.0152，径向成分波动差值约为0.0013；x=0.2的Cd1-xMnxTe晶体吸收边的吸收系数变化范围为2.5~55 cm-1；退火后，晶体的吸收边位置没有变化，表明晶片中Mn含量未受到退火的影响.傅里叶变换红外透射光谱表明, 晶片在红外光波数为4000~500 cm-1范围的红外透过率为45%～55%；退火后，晶片的红外透过率提高到61%以上，接近理论值65%.

测量了氙灯辐照后聚酰亚胺(PI)薄膜的光致发光(PL)强度、PL谱和氙灯辐照后直流高电场下PI薄膜的电致发光(EL)强度、EL谱、XRD谱和吸收光谱, 研究了其EL、PL特性与微观结构的关系。结果表明: PI薄膜的PL强度随测量时间呈指数衰减,EL强度随场强呈指数增长；辐照39 h后, PI的预击穿场强为2.56 MV/cm, 低于原始PI的2.8 MV/cm；EL和PL光谱均在320,395,443,585,656,752 nm附近出现发光峰；辐照时间增长, PL强度明显增大, 衰减变慢, PL峰数减少且红移, 吸收边的最大吸收波长红移；场强增加, EL峰数减少且发生蓝移；由吸收边算得PI的光能隙约为2.76 eV, 比由PL光谱算得的结果小0.38 eV。这些结果由光老化和电老化的综合作用所致。

采用电子束蒸发的方法在蓝宝石光纤端面上生长ZnO 薄膜,不同测试温度下透射光谱表明：ZnO 薄膜的光学吸收边随温度的升高呈明显的红移。根据ZnO 薄膜的光学吸收边所呈现的这一负温度效应,研制了基于ZnO薄膜温变特性的透射式光纤温度传感器。实验表明,在室温至500 ℃测温范围内其灵敏度优于0.05 nm/℃。该光纤温度传感器的测温范围理论上可从负温区(约-260 ℃)至高温区(约700 ℃)。与其他传统的温度传感器相比,该温度传感器具有结构简单,成本较低,测量稳定性高和量程范围宽等优点。

用高温熔融法制备了96GeO-(3-χ)Al2O3-χNa2O-1NaBiO3 (将χ分别为0,0.5,1.5的玻璃命名为A1,A2,A3)和 96GeO-(3.5-ψ)Al2O3-ψNa2O-0.5Bi2O3(将ψ分别为0,0.5,2的玻璃命名为B1,B2,B3)玻璃.观察到样品在1 220 nm处(800 nm 激光二极管激发)的超宽带发光特性(半高宽约250 nm).结果表明,以NaBiO3形式引入Bi5+到玻璃原料中比以Bi2O3形式引入Bi3+到原料中得到的玻璃在1 220 nm处的发光强度大4.6倍,且荧光寿命和荧光半高宽也分别从280 μs和195 nm增加到了434 μs和275 nm.从A3,A2和A1的吸收边带的红移可初步推断出A3,A2及A1玻璃中Bi5+的含量逐步增加.总结吸收光谱与发射光谱的变化规律,认为Bi离子近红外高发射强度和宽荧光半高宽是由Bi5+的发光引起的.在两组玻璃中,热稳定性以及荧光发射截面积与荧光寿命的乘积值和荧光发射截面积与荧光半高宽的乘积值随着Na2O含量的增加而增加.

利用光电流谱的方法对锗硅量子阱结构的带间吸收边进行了研究．实验观察到了在不同的偏压和温度下，锗硅量子阱结构的带间吸收边谱线发生了有规律的变化．通过对锗硅量子阱材料的光电流谱的带间跃迁吸收边的拟合，得到了硅导带到锗价带的能带宽度分别为1．043eV和1．050eV．随着外加电场的增强，带边的吸收曲线向低能方向移动．通过理论计算得到了带间跃迁吸收边的漂移量与外加电场的关系，并与实验吻合较好．随着温度的降低，带间吸收边向高能方向偏移，对于这一现象给出了定性的解释，并通过拟合得到了禁带宽度随温度的变化率．

在多孔阳极氧化铝(AAO)模板中分别沉积金属镍(Ni)、钴(Co)，制备了Ni/AAO和Co/AAO纳米有序阵列复合结构，对其光吸收特性进行了比较研究。实验结果表明，相同结构参量的模板中，Ni、Co纳米粒子的表观形状随沉积时间的变化规律基本一致，但Co/AAO及Ni/AAO复合结构的光吸收特性却有较大差异。Ni/AAO复合结构表现出间接带隙半导体的光学特征，而Co/AAO复合结构具有直接带隙半导体的光学特征。同时，随金属沉积量的增加，Ni/AAO吸收边的红移量仅约为13 nm，而Co/AAO复合结构的吸收边红移量却超过了80 nm。用Maxwell-Garnett(M-G)理论分析了导致二者光吸收特性存在较大差异的主要原因。