南京航空航天大学 材料科学与技术学院 江苏省能量转换材料与技术重点实验室， 南京 210016
采用射频磁控溅射法在超白玻璃衬底上制备出了近红外波段高透光性的AZO透明导电薄膜，用XRD、SEM和发光光度计研究了不同Ar气流量对AZO薄膜的结晶、电学性能和红外透光性能的影响。发现在室温、不同Ar气流量条件下制备出的AZO薄膜在300~1100nm内的透过率相差不大，均大于86%，而在1100~2500nm内透过率变化明显。在Ar气流量为10cm3/min时，制备出的AZO薄膜在1100~2500nm内透过率仅为62.7%，而在Ar气流量增大至40cm3/min时，在1100~2500nm内透过率则增加到86.6%。分析表明，AZO薄膜红外透光性能的增加是因为Ar气流量增大时，薄膜电学性能变差，电阻率增加，载流子浓度下降，对红外波段光的自由载流子吸收减弱。
磁控溅射 AZO透明导电薄膜 Ar气流量 红外透光 magnetron sputtering AZO transparent conductive film Ar flow rate IR transmittance
采用原子层沉积(ALD)方法, 分别以VO(OC3H7)3和H2O2为钒源和氧源, 在载玻片基底上沉积钒氧化物薄膜; 在还原气氛的管式炉中, 对钒氧化物薄膜进行还原退火结晶, 进而得到VO2薄膜晶体。通过扫描电镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)及X-射线光电子能谱(XPS)研究所制备的钒氧化物薄膜表面形貌、晶体结构以及组分的变化; 利用傅里叶红外光谱(FT-IR )对VO2薄膜的红外透射性进行测试分析。结果表明: ALD所制备的薄膜以非晶态V2O5、VO2和V2O3为主; 在通以还原气氛(95%Ar, 5%H2)并500℃热处理2h后得到以(011)择优取向的单斜金红石纳米VO2薄膜, VO2晶体薄膜相变前后红外透过率突变量较大。
原子层沉积(ALD) 纳米二氧化钒薄膜 半导体-金属相变 红外透过率 ALD nano-vanadium dioxide film semiconductor-metal phase transition IR transmittance
研究了生长态和退火后Cd1-xMnxTe晶片的吸收边和红外透过性能.Cd1-xMnxTe晶体采用垂直Bridgman法生长，获得面积为30 mm×40 mm的(111)面Cd1-xMnxTe单晶片；晶片在Cd气氛下退火.近红外光谱表明, 吸收边的截止波长反映晶片的Mn含量范围为0.1887≤x≤0.2039，其中轴向成分波动差值约为0.0152，径向成分波动差值约为0.0013；x=0.2的Cd1-xMnxTe晶体吸收边的吸收系数变化范围为2.5~55 cm-1；退火后，晶体的吸收边位置没有变化，表明晶片中Mn含量未受到退火的影响.傅里叶变换红外透射光谱表明, 晶片在红外光波数为4000~500 cm-1范围的红外透过率为45%～55%；退火后，晶片的红外透过率提高到61%以上，接近理论值65%.
晶体生长 碲镉汞外延衬底 吸收边 红外透过率 退火 crystal growth HgCdTe epitaxial substrates absorption edge IR transmittance annealing treatment
