中国地质大学（武汉）珠宝学院, 湖北 武汉 430074
绿蓝色磷灰石因其颜色和“帕拉伊巴”绿蓝色碧玺相似而为消费者所熟知。 为了验证此种磷灰石颜色是否经过人工处理, 将不同颜色的磷灰石样品分别置于空气气氛下进行400～800 ℃的热处理。 结果表明绿黄色磷灰石经过650 ℃的热处理就可产生绿蓝色。 根据热处理过程中样品的X射线粉末衍射数据, 在热处理过程中并未发生相变。 为了进一步研究热处理过程中样品颜色的变化行为和实验参数对热处理效果的影响, 将绿黄色磷灰石样品分别置于空气和还原气氛下进行300～800 ℃的对比热处理实验。 结果显示不同气氛下样品颜色的变化行为十分相似。 因此这也表明绿黄色磷灰石颜色的改变和元素价态的变化没有直接关联。 室温下样品的紫外可见吸收光谱（200～800 nm）主要表现在蓝紫区强烈吸收, 红橙区有一宽缓的吸收带（620～720 nm）, 黄绿区透过, 出现了515, 528, 578, 739和747 nm等一系列吸收峰。 随着热处理温度的升高, 样品在可见光范围内的吸收系数大幅降低颜色变浅, 吸收截止边逐渐蓝移导致样品逐渐呈现蓝色。 与此同时, 随着温度升高至400 ℃, 620～720 nm吸收带中最强吸收峰位置会发生蓝移导致样品的黄色调减弱。 当温度达到800 ℃时, 样品褪色, 620～720 nm吸收带消失, 但515, 528, 578, 739和747 nm等一系列吸收峰仍然存在。 因此绿黄色磷灰石在热处理过程中颜色的变化主要和吸收截止边以及620～720 nm吸收带的变化有关。
磷灰石 热处理 紫外可见光谱分析 吸收截止边 Apatite Thermal treatment UV-Vis spectral Absorption edge
1 昆明物理研究所，云南昆明 650223
2 中国兵器科学研究院，北京 100089
研究了非晶态碲镉汞(x＝0.2)薄膜的暗电导率随温度变化关系，发现非晶态结构的碲镉汞材料具有明显的半导体特性，其室温禁带宽度在 0.88～0.91 eV之间，与通过光学方法获得的结果相符。在 80～240 K的温度区间非晶态碲镉汞(x＝0.2)的暗电导率从 1×10—8Ω—1·cm —1缓慢增大到 5 ×10－8 Ω—1·cm —1，温度大于 240 K时，其电导率剧烈增大到 1×10—5 Ω—1·cm —1，说明在 240 K附近非晶态碲镉汞材料的导电机制发生了变化，这对非晶态碲镉汞材料的应用研究具有重要意义。还研究了退火过程对非晶态碲镉汞薄膜电导率的影响，结果表明 140℃退火后非晶态碲镉汞薄膜发生了部分晶化。
非晶态碲镉汞 电导率 吸收边 amorphous Hg0.8Cd0.2Te conductivity absorption edge
研究了生长态和退火后Cd1-xMnxTe晶片的吸收边和红外透过性能.Cd1-xMnxTe晶体采用垂直Bridgman法生长，获得面积为30 mm×40 mm的(111)面Cd1-xMnxTe单晶片；晶片在Cd气氛下退火.近红外光谱表明, 吸收边的截止波长反映晶片的Mn含量范围为0.1887≤x≤0.2039，其中轴向成分波动差值约为0.0152，径向成分波动差值约为0.0013；x=0.2的Cd1-xMnxTe晶体吸收边的吸收系数变化范围为2.5~55 cm-1；退火后，晶体的吸收边位置没有变化，表明晶片中Mn含量未受到退火的影响.傅里叶变换红外透射光谱表明, 晶片在红外光波数为4000~500 cm-1范围的红外透过率为45%～55%；退火后，晶片的红外透过率提高到61%以上，接近理论值65%.
晶体生长 碲镉汞外延衬底 吸收边 红外透过率 退火 crystal growth HgCdTe epitaxial substrates absorption edge IR transmittance annealing treatment
哈尔滨理工大学 应用科学院, 黑龙江 哈尔滨150080
测量了氙灯辐照后聚酰亚胺(PI)薄膜的光致发光(PL)强度、PL谱和氙灯辐照后直流高电场下PI薄膜的电致发光(EL)强度、EL谱、XRD谱和吸收光谱, 研究了其EL、PL特性与微观结构的关系。结果表明: PI薄膜的PL强度随测量时间呈指数衰减,EL强度随场强呈指数增长；辐照39 h后, PI的预击穿场强为2.56 MV/cm, 低于原始PI的2.8 MV/cm；EL和PL光谱均在320,395,443,585,656,752 nm附近出现发光峰；辐照时间增长, PL强度明显增大, 衰减变慢, PL峰数减少且红移, 吸收边的最大吸收波长红移；场强增加, EL峰数减少且发生蓝移；由吸收边算得PI的光能隙约为2.76 eV, 比由PL光谱算得的结果小0.38 eV。这些结果由光老化和电老化的综合作用所致。
聚酰亚胺 光致发光 电致发光 吸收边 polyimide photoluminescence electroluminescence absorption edge
浙江工业大学 理学院应用物理系,杭州 310023
采用电子束蒸发的方法在蓝宝石光纤端面上生长ZnO 薄膜,不同测试温度下透射光谱表明：ZnO 薄膜的光学吸收边随温度的升高呈明显的红移。根据ZnO 薄膜的光学吸收边所呈现的这一负温度效应,研制了基于ZnO薄膜温变特性的透射式光纤温度传感器。实验表明,在室温至500 ℃测温范围内其灵敏度优于0.05 nm/℃。该光纤温度传感器的测温范围理论上可从负温区(约-260 ℃)至高温区(约700 ℃)。与其他传统的温度传感器相比,该温度传感器具有结构简单,成本较低,测量稳定性高和量程范围宽等优点。
ZnO 薄膜 蓝宝石光纤 光学吸收边 光纤温度传感器 ZnO thin film sapphire fiber optical absorption edge optical fiber temperature sensor
利用光电流谱的方法对锗硅量子阱结构的带间吸收边进行了研究．实验观察到了在不同的偏压和温度下，锗硅量子阱结构的带间吸收边谱线发生了有规律的变化．通过对锗硅量子阱材料的光电流谱的带间跃迁吸收边的拟合，得到了硅导带到锗价带的能带宽度分别为1．043eV和1．050eV．随着外加电场的增强，带边的吸收曲线向低能方向移动．通过理论计算得到了带间跃迁吸收边的漂移量与外加电场的关系，并与实验吻合较好．随着温度的降低，带间吸收边向高能方向偏移，对于这一现象给出了定性的解释，并通过拟合得到了禁带宽度随温度的变化率．
锗硅量子阱 光电流谱 带间吸收边 外加电场 Si/Ge quantum wells Photocurrent absorption spectra Band-to-band absorption edge External electric field
1 上海理工大学理学院光电功能薄膜实验室, 上海 200093
2 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺制备了Sb∶SnO2/SiO2复合膜。通过原子力显微镜(AFM)观察了薄膜样品的表面形貌,利用紫外-可见光谱,p-偏振光反射比角谱研究了复合薄膜的光学特性。结果表明,薄膜中的晶粒具有纳米尺寸(～35 nm)的大小,比表面积大,孔隙率高;薄膜的透光率高,可见光波段近95%;其光学禁带宽度约3.67 eV。因此Sb∶SnO2/SiO2纳米复合膜可作为气敏薄膜的理想选择。通过对三种不同的气体C3H8,C2H5OH及NH3气敏特性的测试表明,Sb掺杂大大提高了SnO2薄膜对C2H5OH的灵敏度,纳米Sb∶SnO2/SiO2复合膜的气敏灵敏度高于纯SnO2薄膜及Sb掺杂的SnO2薄膜。
薄膜 纳米薄膜 p-偏振光反射比 光学参数 吸收边 气敏特性
中国科学院上海硅酸盐研究所中试基地, 上海 201800
比较了一些白钨矿结构的钨、钼酸盐晶体(如未掺杂的CaWO4、PbWO4、CaMoO4、Pb-MoO4晶体)的透射光谱,发现这些晶体的光吸收边的相对位置用普遍认同的观点,即白钨矿结构的钨、钼酸盐晶体的光吸收边起源于具有Td对称性的W(Mo)O2-4基团内的电子从t1轨道向2e轨道的转移激发,不能给出圆满阐释,而应代之以新的观点。作者认为这类晶体的光吸收边可能起因于D2d对称的W(Mo)O2-4基团内的电子从1a2轨道向2b1轨道的转移激发,并借助于离子极化的模型对这些未掺杂晶体以及分别掺La、Mo和Nb的PbWO4晶体的光吸收边的相对位置进行了定性解释。
白钨矿结构 钨酸盐晶体 钼酸盐晶体 掺杂PbWO晶体 光吸收边
本文报道了室温下,固液同成分点熔体中生长的LiNbO_3紫外光学吸收边的测量结果;并通过对晶体a1/2～hv曲线的研究,肯定了4.0 eV以下吸收边的间接跃迁性质;讨论了三段直线的意义;确定了禁带宽度E9值为3.38 eV.
紫外吸收边 间接跃迁
