采用化学气相沉积(CVD)方法在SiO2/Si衬底生长了ZnO纳米线阵列, 纳米线长约为15 μm, 直径为100~500 nm。通过改变溅射沉积时间(0~150 s), 在ZnO纳米线表面包覆了不同厚度的Pd薄膜。在Ar气氛中, 经800 ℃高温退火后, 制备出Pd颗粒表面修饰的ZnO纳米线阵列并对其进行了气敏测试。对于乙醇而言, 所有传感器最佳工作温度均为280 ℃。溅射时间的增加(3~10 s)导致ZnO纳米线表面Pd纳米颗粒数量及尺寸增加, 传感器响应值由2.0增至3.6。过长的溅射时间 (30~150 s)将导致Pd颗粒尺寸急剧增大甚至形成连续膜, 传感器响应度显著降低。所有传感器对H2均表现出相对较好的选择性, 传感器具有较好的响应-恢复特性和稳定性。最后, 探讨了Pd颗粒表面修饰对ZnO纳米线阵列气敏传感器气敏特性的影响机制。

采用化学气相法分别在石英舟内表面和单晶硅衬底上制备了ZnO微米片、纳米线、微米四足体以及微米球4种结构, 并制作了相应的气敏传感器。扫描电子显微镜、气敏测试仪等结果显示: 合成的ZnO纳米/微米结构尺寸在200 nm~100 μm之间, 传感器最佳工作电流区间为120~130 mA, 其中微米四足体制备的传感器灵敏度高达127, 展现出优异的气敏特性。在4种结构中, 微米四足体材料内部的VO缺陷含量最高, 结合气敏测试与荧光光谱结果, 我们认为材料内部的VO缺陷含量是影响材料气敏特性的最重要因素。

采用水热合成的方法,在玻璃基底上制备了氧化锡纳米棒阵列,利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对其晶体结构和表面形貌进行表征,并解释了氧化锡纳米棒的生长机理。为了找到最佳的制备测试参数,研究了室温下,不同水热合成时间和退火温度对纳米氧化锡乙醇气敏特性的影响,并在此基础上研究了365 nm紫外光激活时氧化锡对乙醇气体的气敏特性,与无光照时对比。结果表明,室温下,水热合成反应6 h,500 ℃退火时,氧化锡纳米棒阵列对乙醇气体显示了较高灵敏性,365 nm紫外光照射时,氧化锡气体灵敏度比无光照时大大提高,稳定性增强,响应和恢复时间缩短到5 s以内。

采用直流磁控溅射的方法在Al2O3陶瓷管、硅基片上溅射制备了二氧化钛（TiO2）纳米薄膜材料.将薄膜样品放入管式退火炉中分别在500℃, 700℃和1 100℃温度下退火.由于退火温度的不同，薄膜的晶体结构、晶粒尺寸、晶向以及气敏特性都有所不同.利用X射线衍射（XRD）技术和薄膜气敏特性测试，分析了退火温度对薄膜气敏特性的影响.分析结果表明退火温度在500℃时，呈现锐钛矿结构，薄膜具有很好的选择性、很短的反应（恢复）时间.对TiO2薄膜表面进行修饰，发现此TiO2薄膜的最佳工作温度为370℃左右.薄膜的气敏机理也得到了讨论.

采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺制备了Sb∶SnO2/SiO2复合膜。通过原子力显微镜(AFM)观察了薄膜样品的表面形貌,利用紫外-可见光谱,p-偏振光反射比角谱研究了复合薄膜的光学特性。结果表明,薄膜中的晶粒具有纳米尺寸(～35 nm)的大小,比表面积大,孔隙率高;薄膜的透光率高,可见光波段近95%;其光学禁带宽度约3.67 eV。因此Sb∶SnO2/SiO2纳米复合膜可作为气敏薄膜的理想选择。通过对三种不同的气体C3H8,C2H5OH及NH3气敏特性的测试表明,Sb掺杂大大提高了SnO2薄膜对C2H5OH的灵敏度,纳米Sb∶SnO2/SiO2复合膜的气敏灵敏度高于纯SnO2薄膜及Sb掺杂的SnO2薄膜。