采用直流反应磁控溅射法, 以高纯Ti为靶材, 高纯O2为反应气体, 制备了TiO2薄膜.研究了氧气流量对薄膜结晶取向、表面形貌和光学性能的影响.研究发现, TiO2薄膜主要呈锐钛矿TiO2(101)择优取向, 当氧气流量较小时, 薄膜中还含有金属Ti(100), 氧气流量较大时, 薄膜含TiO2(101)和TiO2(004), 成多晶态; 薄膜的粗糙度和颗粒大小都随氧气流量的增大而增大; 薄膜在400~1 100 nm可见-近红外波段有较高的透射率并且其吸收峰随着氧气流量的增大而红移, 当氧气流量为5 sccm时, 平均透射率最高.

采用溶胶-凝胶法在石英(SiO2)衬底上制备了多层TiO2及Ni2＋掺杂TiO2薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)及紫外分光光度计(UV-Vis)对薄膜样品进行结构性能表征。实验结果表明, 在400℃下退火3h得到的TiO2薄膜均为锐钛矿相, Ni2＋的掺杂对退火处理TiO2薄膜结晶行为影响不大, 但Ni2＋的掺杂有效阻碍了TiO2由无定型向锐钛矿相的转变; 同时, Ni2＋掺杂引起TiO2薄膜吸收边发生明显的红移, 使其进入可见光波段的范围。

以四氯化钛为源物质, 氩气为载气, 氧气为反应气体, 利用低温等离子体增强化学气相沉积在硅基表面制备出了TiO2薄膜。使用场发射扫描电子显微镜、X射线衍射仪等检测分析表征TiO2薄膜的性能与性质, 并探讨了工艺条件如基片材料、沉积时间和基片温度对薄膜性能的影响。结果表明：制备的薄膜表面光滑均匀, 结构致密, 最小晶粒尺寸约15 nm; 薄膜的晶型主要依赖于沉积温度, 低于300 ℃沉积的薄膜是无定形的, 300 ℃之上沉积的薄膜是锐钛矿结构。

采用射频反应溅射法在玻璃衬底上制得均匀透明的TiO2纳米薄膜,然后采用金(Au)离子溅射镀膜法制得金包覆TiO2复合薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等研究了金包覆TiO2薄膜的结晶特性和表面形貌。研究显示,射频功率为200 W时,射频薄膜表面光滑平整,由锐钛矿型TiO2纳米微粒构成,其微粒直径在20-100 nm。Au离子溅射镀膜和真空退火后薄膜的表面形貌没有明显的变化。采用细菌涂布培养法对金掺杂TiO2纳米薄膜的光催化杀菌性能进行研究,结果表明金包覆TiO2纳米复合薄膜较单一TiO2纳米薄膜在光催化杀菌范围、速度及效率上具有明显的增强,对枯草芽孢杆菌在10 min内的杀菌率均达到90%以上。根据实验结果,讨论了金包覆TiO2纳米薄膜光催化杀菌机理。

采用直流磁控溅射的方法在Al2O3陶瓷管、硅基片上溅射制备了二氧化钛（TiO2）纳米薄膜材料.将薄膜样品放入管式退火炉中分别在500℃, 700℃和1 100℃温度下退火.由于退火温度的不同，薄膜的晶体结构、晶粒尺寸、晶向以及气敏特性都有所不同.利用X射线衍射（XRD）技术和薄膜气敏特性测试，分析了退火温度对薄膜气敏特性的影响.分析结果表明退火温度在500℃时，呈现锐钛矿结构，薄膜具有很好的选择性、很短的反应（恢复）时间.对TiO2薄膜表面进行修饰，发现此TiO2薄膜的最佳工作温度为370℃左右.薄膜的气敏机理也得到了讨论.