1 天津大学理学院，天津 300354
2 天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室，天津 300350
在不同氧气流量下，采用双靶射频磁控共溅射的方法在蓝宝石(α-Al2O3)基底上制备得到系列掺Cr的Ga2O3(Ga2O3∶Cr)薄膜，详细研究了薄膜在900 ℃退火前后的结构和光学性能。结果表明，未退火的Ga2O3∶Cr薄膜为非晶结构，其发光主要位于蓝绿波段。经900 ℃退火后，薄膜的结构由非晶变为多晶，且在近红外波段观测到了来源于Cr3+掺杂的发光。退火后的薄膜结晶质量和近红外发光均与氧气流量密切相关，而其光学带隙不受氧气流量的影响。在所研究的氧气流量范围，4 mL/min氧气流量下薄膜的近红外发光强度最强，这与此条件下薄膜结晶质量较好以及Cr3+替代Ga3+的数量较多有关。以上研究成果可为制备高质量Ga2O3∶Cr薄膜提供参考。
Ga2O3∶Cr薄膜 射频磁控溅射 蓝宝石基底 氧气流量 退火 光学性能 结晶质量 Ga2O3∶Cr thin film RF magnetron sputtering sapphire substrate oxygen flow rate annealing optical property crystalline quality
吉林大学电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室，吉林 长春 130012
通过对p型砷化镓（p?GaAs）单晶衬底高温热氧化方法制备了β?Ga2O3体块薄膜。探讨了高温氧化过程中O2流量对β?Ga2O3体块薄膜形貌的影响。通过对体块薄膜的晶体质量、结构特性、光致发光特性的测试分析，可以发现在高温高氧环境下GaAs转变为β?Ga2O3体块薄膜的过程与Langmuir蒸发相关。当O2流量较低时（0.2 L/min），GaAs衬底处于缺氧状态，所制备样品呈现纳米线状形貌；而当通入O2流量超过0.4 L/min时，GaAs衬底被完全氧化为具有纳米岛状结构的β?Ga2O3体块薄膜，且晶体质量得到显著提高。本文提出的砷化镓单晶热氧化工艺可以高效、低成本地获得较高结晶质量的纳米结构β?Ga2O3体块薄膜，对于β?Ga2O3材料的应用具有极大的丰富作用。
热氧化 纳米岛状体块薄膜 β-Ga2O3 氧气流量 thermal oxidation nano island bulk film β-Ga2O3 oxygen flow rate
北京交通大学 光电子技术研究所, 北京 100044
为了优化镁铟锡氧薄膜晶体管(MITO-TFT)的性能, 采用磁控溅射法制备MITO-TFT并分别研究了退火温度和退火气氛(O2流量)对器件性能的影响。实验结果表明, O2流量为400 cm3/min、退火温度为750 ℃的MITO薄膜为非晶态, 且其对应薄膜晶体管有最佳性能, 其饱和迁移率为12.66 cm2/(V·s), 阈值电压为0.8 V, 开关比达到107。适当的退火处理可以有效减少缺陷与界面态密度, 并提高器件性能。
氧化物半导体 迁移率 退火温度 退火氧气流量 MITO-TFT MITO-TFT oxide semiconductor filed effect mobility annealing temperature annealing O2 flow rate
采用直流反应磁控溅射法, 以高纯Ti为靶材, 高纯O2为反应气体, 制备了TiO2薄膜.研究了氧气流量对薄膜结晶取向、表面形貌和光学性能的影响.研究发现, TiO2薄膜主要呈锐钛矿TiO2(101)择优取向, 当氧气流量较小时, 薄膜中还含有金属Ti(100), 氧气流量较大时, 薄膜含TiO2(101)和TiO2(004), 成多晶态; 薄膜的粗糙度和颗粒大小都随氧气流量的增大而增大; 薄膜在400~1 100 nm可见-近红外波段有较高的透射率并且其吸收峰随着氧气流量的增大而红移, 当氧气流量为5 sccm时, 平均透射率最高.
TiO2薄膜 直流磁控溅射 氧气流量 透射率 TiO2 thin films DC magnetron sputting Oxygen flow Thansmittance
深圳大学材料学院 深圳市特种功能材料重点实验室， 广东 深圳 518060
使用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英(SiO2)和单晶Si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜。测试结果显示：在30～70 sccm氧气流量范围内，氧气流量50 sccm时制备的ZnO薄膜具有较好的结晶质量、较高的光学透过率(≥80%)、较高的氧含量(～40.71%)、较快的生长速率(～252 nm/h)和较好的发光特性：450～580 nm附近发射峰最弱，同时～378 nm附近的紫外发光峰最强，表明薄膜材料中含有较少的氧空位等缺陷。
氧气流量 脉冲激光沉积 ZnO薄膜 O2 flow rate pulsed laser deposition ZnO thin films
