为了优化镁铟锡氧薄膜晶体管(MITO-TFT)的性能, 采用磁控溅射法制备MITO-TFT并分别研究了退火温度和退火气氛(O2流量)对器件性能的影响。实验结果表明, O2流量为400 cm3/min、退火温度为750 ℃的MITO薄膜为非晶态, 且其对应薄膜晶体管有最佳性能, 其饱和迁移率为12.66 cm2/(V·s), 阈值电压为0.8 V, 开关比达到107。适当的退火处理可以有效减少缺陷与界面态密度, 并提高器件性能。

在经过Al2O3全钝化发射极钝化局部背接触(PERC)结构电池的背面实现良好的接触电极一直是制约着PERC高效电池向产业化推广的重要因素之一。本文采用532 nm激光烧蚀背面钝化介质层方法和传统的光刻工艺来实现背面电极的局部接触, 并对两种方法进行详细的比较与分析。对激光烧蚀和激光烧结两种不同的局部接触电极制备方式进行了对比, 发现激光烧蚀是更为适宜的工艺方式。相较于激光烧结, 以激光烧蚀方式制备的电池的串联面接触电阻从10.7 Ω·cm2 降到 1.24 Ω·cm2, 效率从4.2% 提高到10.7%。

用RF-MBE在蓝宝石(0001)衬底上引入MgO和低温ZnO双缓冲层生长了ZnO薄膜，并制备了声表面波器件。在ZnO薄膜中，仅观测到(0002)面的XRD，且衍射峰增强，半高宽减小，表明ZnO薄膜c轴取向性更好，晶体结构更优。室温下自由激子吸收峰更尖锐和吸收边更陡峭以及仅观测到自由激子发光，且发光线宽变窄、发光强度变大，表明ZnO薄膜缺陷密度减小，薄膜质量提高。测得该ZnO压电薄膜的电阻率高达4×107 Ω·cm，其声表面波的速度高达5 010 m/s。

We fabricate an ultraviolet photodetector based on a blend of poly (N-vinylcarbazole) (PVK) and 2-tert-butylphenyl-5-biphenyl-1,3, 4-oxadiazole (PBD) using spin coating. The device exhibites a low dark current density of 2.2 \times 10?3 \muA/cm2 at zero bias. The spectral response of the device shows a narrow bandpass characteristic from 300 to 355 nm, and the peak response is 18.6 mA/W located at 334 nm with a bias of –1 V. We also study the performances of photodetectors with different blend layer thicknesses. The largest photocurrent density is obtained with a blend of 90 nm at the same voltage.

用分子束外延法在GaAs衬底上生长了CdSe/Cd0.65Zn0.35Se超晶格结构.利用X射线衍射(XRD)、77 K下变密度激发的光致发光光谱和变温度光致发光光谱研究了CdSe/CdZnSe超晶格结构和激光复合特性,在该材料中观测到激子激子散射发射峰,变密度激发光致发光光谱和变温度光致发光光谱证实了这一现象.激子发射峰的线宽随着温度的升高而展宽,低温时发光峰的宽度主要是由合金组分和阱垒起伏引起的,高温时激子线宽展宽是由于激子与纵光学声子和离化的施主杂质间的散射作用引起的,光致发光的强度随着温度的升高而降低,这主要是由激子的热离化造成的,也就是说,热激发使得电子或空穴由阱中跃迁至垒上.

报道了常压金属有机化学汽相淀积(MOCVD)制备的Zn0.7Cd0.3Se/ZnSe单量子阱的光泵浦受激发射性质。在77 K下观测到了n=2的重空穴激子发光峰和n=1的重空穴激子吸收峰。在77 K脉冲激光泵浦下受激发射阈值功率密度为116 kw/cm2。认为受激发射机理可能是激子局域态的空间填充。

报道了用非相干光时间延迟四波混频方法在室温下测得Cu2O超微粒子的扩散系数和载流子复合时间分别为0.011 cm2/s和1.2 ns。通过改变探测光与前向泵浦光之间的夹角实验和变温实验证实了这种方法的正确性。并讨论了扩散机理。