1 河北工业大学信息工程学院微电子所,天津,300130
2 中国电子科技集团公司电子第十三研究所光电专业部,河北,石家庄,050051
计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系,确定了941nm波长的量子阱宽度和In组分.并利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成半导体激光器线阵列的峰值波长为940.5 nm,光谱的FWHM为2.6 nm,在400 μs,50 Hz的输入电流下,输出峰值功率达到114.7 W(165 A),斜率效率高达0.81 W/A,阈值电流密度为103.7 A/cm2,串联电阻5 mΩ,最高转换效率可达36.9%.
金属有机化合物气相淀积 半导体激光器阵列 分别限制结构 单量子阱
1 河北工业大学信息学院微电子所,天津,300130
2 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050021
利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs分别限制应变单量子阱激光器工作物质.利用它制成半导体激光器线阵列,其峰值波长为900nm,光谱半高全宽小于4nm,在脉宽1000μs、13Hz的输入电流抽运下,输出峰值功率接近60W(室温,电流87A),斜率效率为0.64W/A.
金属有机化合物气相淀积(MOCVD) 半导体激光器阵列 分别限制结构 单量子阱
1 河北工业大学信息学院微电子所,天津,300130
2 中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部,河北,石家庄,050051
用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术外延生长了InGaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成半导体激光器一维线阵列,然后再串联组装成二维阵列,在1000 μs的输入脉宽下,输出峰值功率达到730 W(77 A),输出光功率密度为487 W/cm2,中心激射波长为903 nm,光谱半宽(FWHM)为4.4 nm.在此条件下可以稳定工作8600 h以上.
激光技术 半导体激光器 金属有机化合物气相淀积 二维阵列 分别限制单量子阱
1 西安电子科技大学技术物理学院,西安,710071
2 中国空空导弹研究院,洛阳,471009
3 信息产业部电子第十三研究所,石家庄,050002
4 中国科学院西安光学精密机械研究所,西安,710068
对新型光波导阵列电光快速扫描器中的光波导效应进行了研究,分析了考虑光波导模式效应的光波导阵列电光快速扫描器的扫描特性,指出光波导模式特性主要影响新型光波导电光快速扫描器的扫描范围和效率,并研究了在应用该器件进行光束扫描时的技术要求.
激光电光扫描 光波导阵列 光波导模式 电光效应
1 西安电子科技大学技术物理学院,西安,710071
2 中国空空导弹研究院,洛阳,471009
3 信息产业部电子第十三研究所,石家庄,050002
研究一种新型的光波导阵列电光快速扫描器,分析了它的工作原理及光波导阵列结构对输出光空间分布特性的影响,并通过实验验证了器件的扫描特性,指出这种光波导阵列器件可以用很小的控制电压(<10 V),实现二维空间快速宽视场窄光束扫描.
激光扫描 光波导阵列 电光效应
