1 河北工业大学 理学院，天津 300401
2 河北工业大学 信息工程学院，天津 300401
利用光导波方法，对不同电压下由棱镜、折射率匹配液及扭曲向列相液晶盒构成的全漏导模进行了实验研究，得到了不同外角所对应的全漏导模的反射光强度实验数据，并由斯涅尔折射定律转化为反射率随内角变化的数据，由此得到实验曲线。通过与多层光学理论给出的理论曲线进行比较，发现两者之间有一个很好的吻合，确定了扭曲向列相液晶盒在不同电压下的指向矢剖面。
光导波方法 扭曲向列相 指向矢剖面 全漏导模 多层光学理论 optical guided wave method twisted nematic director profile full leaky waveguide mode multi-layer optics theory
Author Affiliations
Abstract
1 School of Sciences, Hebei University of Technology, Tianjin 300401, China
2 School of Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300401, China
3 Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun 130033, China
4 Graduate University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China
5 Department of Mathematics and Physics, North China Electric Power University, Baoding 071000, China
Liquid crystal in a nematic liquid crystal cell surface with two crossed-grating surface substrates can be oriented along the normal grating direction with given geometric parameters of groove and anchoring strength. This display is equivalent to multi-domain vertical-alignment mode. It has a relatively wide viewing angle. In this letter, we investigate the viewing angle characteristics of this kind of cell. The viewing angle dependence of contrast ratio is obtained using the extended Jones matrix method, which also considers the flexoelectric effect. The viewing angle is dependent on the geometric parameter of grating surface, the flexoelectric coefficients, and the anchoring strength. Therefore, appropriate value for each factor needs to be selected to obtain a better viewing angle of this cell.
视角特性 栅状表面 多畴垂直显示模式 扩展琼斯矩阵方法 挠曲电 230.3720 Liquid-crystal devices 230.2090 Electro-optical devices Chinese Optics Letters
2010, 8(12): 1171
1 河北工业大学 信息工程学院,天津 300130
2 中国电子科技集团 第十三研究所,石家庄 050051
将输出光谱包络合理近似为高斯型,以高斯算法为基础,利用计算机软件编写了激光器阵列光谱合成模拟软件,实现了对激光器阵列合成波长、半高宽以及光谱图形的模拟。结果表明:用软件进行光束合成的激光器阵列波长与实际测试的波长基本吻合,但存在一定误差。基于这种情况,对模拟结果和实测结果的误差部分进行分析实验,以验证误差分析的正确性,并将误差重新编写到软件。该模拟软件可以在激光器组装阵列之前对激光器单条进行筛选,找出符合组成阵列波长要求的最佳激光器单条,使得实际生产出的激光器阵列波长与阵列的设计波长基本一致。
高斯算法 光谱图形 中心波长 半高宽 误差分析 Gaussian algorithm spectrum synthesis graphics wavelength full wave at half maximum error analysis 强激光与粒子束
2009, 21(12): 1799
1 河北工业大学 信息工程学院,天津 300130
2 中国电子科技集团公司 第十三研究所,石家庄 050051
通过对不同腔长的808nm半导体激光器单管进行P-I测试,提取出了材料内部参数,如内量子效率、内损耗、透明电流密度、模式增益等。根据得出的内部参数进行了腔面反射率设计,分析腔面反射率与功率转换效率的关系,得出了关系曲线。进行腔面镀膜实验,把实验值与计算值相比较,二者相吻合。通过这种腔面反射率设计方法,可以得到半导体激光器的最大功率转换效率,从而使其工作于优化状态下。
半导体激光器 反射率 镀膜 功率转换效率 腔面 semiconductor lasers reflectivity coating power conversion efficiency cavity surface
1 河北工业大学 信息学院，天津 300130
2 信息产业部 电子第13研究所，石家庄 050051
高速调制半导体激光器光源是光纤通信系统、相控阵雷达等的关键器件。高速激光器的寄生电容是影响其调制带宽的因素之一。为了减小寄生电容，针对脊波导结构激光器的电容，采用计算机模拟与实际测试相结合的方法，进行了理论分析和实验验证。结果表明，其寄生电容大小不仅与电极金属化面积有关，还与隔离沟的腐蚀深度有关。当腐蚀至波导层时，寄生电容减小到10pF以下。这一结论对实现激光器的高速调制是非常有意义的。
激光器 金属化 腐蚀 寄生电容 调制带宽 lasers metallization erosion parasitic capacitance modulation bandwidth
1 河北工业大学信息工程学院微电子所,天津,300130
2 中国电子科技集团公司电子第十三研究所光电专业部,河北,石家庄,050051
计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系,确定了941nm波长的量子阱宽度和In组分.并利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成半导体激光器线阵列的峰值波长为940.5 nm,光谱的FWHM为2.6 nm,在400 μs,50 Hz的输入电流下,输出峰值功率达到114.7 W(165 A),斜率效率高达0.81 W/A,阈值电流密度为103.7 A/cm2,串联电阻5 mΩ,最高转换效率可达36.9%.
金属有机化合物气相淀积 半导体激光器阵列 分别限制结构 单量子阱
1 河北工业大学信息学院,天津 300130
2 信息产业部电子第十三研究所,河北 石家庄 050002
3 信息产业部电子第十三研究所,河北,石家庄,050002
设计并研制了1 cm长折射率渐变分别限制单量子阱(GRIN-SCH-SQW)单条激光器阵列.占空比为20%,在70 A工作电流下,输出功率达到61.8 W,阈值电流密度为220 A/cm2,斜率效率为1.1 W/A,激射波长为808.2 nm.
激光技术 高占空比 大功率 半导体激光器
1 河北工业大学信息学院微电子所,天津,300130
2 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050021
利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs分别限制应变单量子阱激光器工作物质.利用它制成半导体激光器线阵列,其峰值波长为900nm,光谱半高全宽小于4nm,在脉宽1000μs、13Hz的输入电流抽运下,输出峰值功率接近60W(室温,电流87A),斜率效率为0.64W/A.
金属有机化合物气相淀积(MOCVD) 半导体激光器阵列 分别限制结构 单量子阱
1 河北工业大学信息学院微电子所,天津,300130
2 中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部,河北,石家庄,050051
用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术外延生长了InGaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成半导体激光器一维线阵列,然后再串联组装成二维阵列,在1000 μs的输入脉宽下,输出峰值功率达到730 W(77 A),输出光功率密度为487 W/cm2,中心激射波长为903 nm,光谱半宽(FWHM)为4.4 nm.在此条件下可以稳定工作8600 h以上.
激光技术 半导体激光器 金属有机化合物气相淀积 二维阵列 分别限制单量子阱
1 河北工业大学电气信息学院, 天津 300130
2 天津大学精密仪器与光电子工程学院, 天津 300072
3 北京工业大学电子信息与控制工程学院, 北京 100022
根据发展历史的顺序 ,对量子阱垂直腔面发射激光器微腔物理进行概述 ,其中包括垂直腔面发射激光器、腔量子电动力学和半导体微腔物理。给出半导体垂直腔面发射激光器及其微腔物理思想来源的详细图像.
量子阱 垂直腔面发射激光器 腔量子电动力学 微腔物理
