华东师范大学 极化材料和器件教育部重点实验室, 上海200241
使用有效质量模型, 从理论上对GaAs/Al0.35Ga0.65As不对称耦合量子点在不同耦合强度下束缚态和反束缚态的能级分裂情况进行了详细分析, 重点探讨了电子和空穴的耦合隧穿对量子点体系能级特征及激子发光强度的影响。研究发现: 不对称耦合量子点在外电场作用下价带束缚态和反束缚态能级出现反交现象, 反交处的能级分裂值和临界电场随量子点间距的增加而减小;对应的激子发光强度也经历了从亮(暗)到暗(亮)激子的转变。
激子 量子点 束缚态 exciton quantum dot bonding state
1 华东师范大学电子系,上海,200062
2 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室,上海,200083
主要讨论了CdSe量子点的制备及荧光特性.CdSe量子点由化学方法制备,通过选择不同的反应时间得到不同尺度的量子点样品.用荧光方法研究了量子点样品在石英衬底和有机溶剂中的荧光特性.实验表明,这些量子点都有良好的荧光特性.还用无限深球方势阱模型分析了量子点样品的电子态,并根据荧光参数估算了量子点的尺度.各样品荧光峰具有一致的半峰宽,表明CdSe量子点的成核过程在反应开始时同时完成.
半导体光电 量子点 荧光 optoelectronics quantum dot CdSe CdSe photoluminescence
