1 郑州航空工业管理学院 理学院, 郑州 450046
2 中国科学院微电子研究所, 北京 100029
通过建立数值模型, 分析了垂直腔面发射激光器相干耦合阵列单元数量、单元间距、单元间相位差对光束质量及偏转角度的影响.仿真结果表明, 单元数量越多, 发散角越小; 单元间距越小, 旁瓣强度越小; 单元间相位差越大, 偏转角度越大.因此, 设计相干阵列时, 需要尽量减小单元间距, 增大阵列规模, 实现单元间大相位差的控制.实验制备了3单元相干耦合阵列, 通过分离电极实现了单元注入电流的独立控制以及单元间相位差的控制, 最终实现二维方向上的光束操控.
半导体光电器件 垂直腔面发射激光器 相干耦合阵列 光束偏转 质子注入 Semiconductor optoelectronic devices Vertical cavity surface emitting laser Coherently coupled array Beam steering Proton implantation
1 山东理工大学 电气与电子工程学院,山东 淄博 255049
2 南通大学 机械工程学院,江苏 南通 226007
阐述半导体光电位置敏感器件(PSD)的横向光电效应,改进型2D-PSD的结构、特点、工作原理,在此基础上,提出一种新的电桥理论分析2D-PSD的中心与边缘产生非线性及其误差的原因。采用高精度低温漂高输入阻抗的前置放大器、加法器、减法器、除法器等元器件设计了一种改进型2D-PSD的信号调理电路,用于高精度的激光准直系统中。该信号调理电路将激光束经光学透镜、光阑、滤光器等光学元器件处理的光信号转换为电信号后,送入数据采集系统,利用直线度测评软件直接在计算机上将被测件的直线度测量显示。系统特点是:响应速度快;位置分辨率高;能实时检测等优点。最后给出测量实验结果和几个重要结论。
横向光电效应 非线性误差 半导体光电位置敏感器件 电桥理论 激光准直系统 lateral photoeffect nonlinear error position sensitive detector bridge theory laser collimation system
1 华东师范大学电子系,上海,200062
2 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室,上海,200083
主要讨论了CdSe量子点的制备及荧光特性.CdSe量子点由化学方法制备,通过选择不同的反应时间得到不同尺度的量子点样品.用荧光方法研究了量子点样品在石英衬底和有机溶剂中的荧光特性.实验表明,这些量子点都有良好的荧光特性.还用无限深球方势阱模型分析了量子点样品的电子态,并根据荧光参数估算了量子点的尺度.各样品荧光峰具有一致的半峰宽,表明CdSe量子点的成核过程在反应开始时同时完成.
半导体光电 量子点 荧光 optoelectronics quantum dot CdSe CdSe photoluminescence
山东理工大学电气工程学院,山东,淄博,255012
首先分析了半导体光电位置敏感器件(PSD)的工作过程.利用连续发射的激光光源和半导体光电位置敏感器件,设计了一种三维非接触高精度的光学测量系统.该系统根据定位于被测量物体上直角坐标系的格线,生成该物体的外形,从而用于不规则三维物体多种参数的测量和诊断.该系统使用了光学装置,特别适用于不规则形状尤其是边缘形状的图形的精确测量和探测,测量出的数据对于研究和诊断皮肤损伤的形态、特征和类型之间的关系等有很高的价值,应用前景非常广阔.
半导体光电位置敏感器件 激光 三维非接触测量系统 诊断 Semiconductor photoelectric position sensitive dev Laser 3D noncontact measurement system Diagnosing
中国科学院西安光学精密机械研究所, 西安 710068
采用双曲型的渐变函数,同时考虑加偏压时引起的阴极表面空间电荷区的变化,对场助InP/TnGaAsP/InP半导体光电阴极异质结的能带结构进行了详细的分析和计算,得到了在不同材料参数时,异质结能带结构的分布曲线.计算结果指出了达到理想的异质结传输效率时,发射层的厚度和掺杂浓度、吸收层的掺杂浓度、异质结界面处渐变区宽度以及场助偏压应满足的条件.它有助于场助半导体光电阴极的结构设计和材料参数的选择.
InP/InGaAsP/InP异质结 场助半导体光电阴极 渐变函数
