采用ACRT-B法生长了四元稀磁半导体化合物Mn0.1Cd0.9In2Te4晶体.采用扫描电镜、X射线衍射仪、ISIS能谱仪、Leica定量金相分析仪以及傅里叶变换红外光谱仪研究了晶体中相的结构、形貌、成分及晶片的红外透射光谱.发现晶体生长初始端由于溶质再分配而引起成分偏离配料比,结果出现三种相:α相、β相和β1相,其中α相和β相是在晶体生长过程中形成的,随温度降低,从α相中又析出β1相.当晶体生长到稳定段,完全形成β相.Mn0.1Cd0.9In2Te4晶体从生长初始端到接近稳态区,β1相由规则排列的?聪虿还嬖蚺帕械慕圃财捶⒄?禁带宽度为1.2eV的Mn0.1Cd0.9In2 Te4在10000～4000cm-1的近红外波数范围内,其透过率最高达83%,在4000～500cm-1的中红外波数范围内透过率为59%～65%.

首先分析了半导体光电位置敏感器件(PSD)的工作过程.利用连续发射的激光光源和半导体光电位置敏感器件,设计了一种三维非接触高精度的光学测量系统.该系统根据定位于被测量物体上直角坐标系的格线,生成该物体的外形,从而用于不规则三维物体多种参数的测量和诊断.该系统使用了光学装置,特别适用于不规则形状尤其是边缘形状的图形的精确测量和探测,测量出的数据对于研究和诊断皮肤损伤的形态、特征和类型之间的关系等有很高的价值,应用前景非常广阔.

为实现对硅基材料和MEMS器件内微体缺陷的无损、高效和准确检测,在研究广义洛仑兹-米氏散射理论的基础上,针对硅基材料和MEMS器件的物理特点,对球形缺陷与红外激光相互作用在非垂直方向散射光强分布特点进行了研究和计算机仿真,提出利用红外激光背散射分布分析对硅基材料和MEMS器件内部缺陷进行检测的方法,并通过实验验证了该方法的有效性.