作者单位
摘要
1 湘潭大学材料科学与工程学院, 湖南 湘潭 411105
2 湘潭大学物理与光电工程学院, 湖南 湘潭 411105
基于广义Lorenz-Mie理论,对蓝宝石晶片中微体缺陷的散射特性进行了仿真,分析了散射光接收位置、缺陷大小、入射光波长对散射光强的影响。结果表明:前向散射方向上的空间散射光强信息量最大,检测结果最准确;缺陷大小对散射光强分布具有显著影响,可以将散射光强分布曲线的特征作为判断缺陷大小的依据;入射光波长越小,测量越准确。
散射 Mie理论 蓝宝石晶片 微体缺陷 无损检测 
中国激光
2019, 46(4): 0404001
作者单位
摘要
清华大学精密仪器与机械学系,北京,100084
为实现对硅基材料和MEMS器件内微体缺陷的无损、高效和准确检测,在研究广义洛仑兹-米氏散射理论的基础上,针对硅基材料和MEMS器件的物理特点,对球形缺陷与红外激光相互作用在非垂直方向散射光强分布特点进行了研究和计算机仿真,提出利用红外激光背散射分布分析对硅基材料和MEMS器件内部缺陷进行检测的方法,并通过实验验证了该方法的有效性.
硅基材料 微体缺陷 广义洛仑兹-米氏散射理论 背散射 光强分布分析 Silicic material MEMS MEMS Micro bulk defect Generalized Lorenz-Mie Scattering theory Back scattering Light intensity distribution analysis 
红外与激光工程
2002, 31(4): 351

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