作者单位
摘要
中国科学院大学 核科学与技术学院 北京 101400
相对论性重离子对撞的目的之一是寻找量子色动力学(Quantum Chromodynamics,QCD)临界终点(Critical End Point,CEP),实验中测到的净质子数扰动呈现出非单调的行为,这暗示了CEP的存在。本文使用了3味PNJL(Polyakov-loop Nambu-Jona-Lasinio)模型,沿着从实验数据中拟合的化学冻结线,计算了重子数扰动累积量之比C4/C2随对撞能量的变化。结果发现,基于平衡态假设,在对撞能量7.7~200 GeV范围内,随着对撞能量的降低,C4/C2先缓慢下降后上升,这与实验数据一致。这也暗示平衡态假设可以用于探索重离子对撞后系统的演化行为,揭示了相变线跟化学冻结线的关系对观测量的影响非常重要。
QCD相图 临界终点 重离子对撞 重子数扰动 QCD phase diagram Critical end point Heavy-ion collision Baryon number fluctuation 
核技术
2023, 46(4): 040005
作者单位
摘要
郑州航空工业管理学院 材料学院, 郑州 450046

采用射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术, 以甲烷为碳源, 在金属铜箔上制备了三维垂直石墨烯。通过调节生长参数, 进行了七组对比实验, 利用扫描电子显微镜, 拉曼光谱对垂直石墨烯的形貌、质量以及层数进行了表征, 用二级结构的场发射仪器测试了垂直石墨烯的场发射特性, 研究了垂直石墨烯的场发射特性与其形貌、质量和密度的关系, 并获得了开启电场低至0.29V/μm的场发射特性。研究结果表明, 垂直石墨烯是一种良好的场发射材料, 未来在真空电子源中具有广阔的应用前景。

场发射特性 垂直石墨烯 石墨烯边缘 等离子体增强化学气相沉积 the field emission character vertical graphene edge of graphene plasma enhanced chemical vapor deposition 
半导体光电
2022, 43(6): 1124
作者单位
摘要
郑州航空工业管理学院材料学院,郑州 450046
本文基于Mie散射理论,设计了三种(Au,Au-介质,介质-Au)球形纳米结构,并研究结构参数及周围环境对结构的光散射性质的影响。说明结构外半径的增加会使共振位置发生红移,线宽增加,并且偶极近似不再成立。经研究发现,在偶极近似下,Au-介质纳米核壳结构中核半径的增大使得散射峰增强,线宽也比金球颗粒的小。并且介质折射率的增加,会使散射峰进一步增强,并产生一定的红移。对于介质-Au纳米核壳结构,当Au层厚度较小的情况下,球模和腔模之间的强耦合作用使得共振峰位置发生较大的红移,散射峰也显著增强。并且随着介质核的折射率增加,会进一步使得模式发生红移。考虑到实际应用,最后通过在Au-介质纳米核壳结构的介质层引入增益,或者减小介质-Au纳米核壳结构半径,发现其均能在石英环境中实现可见光波段的窄带强散射。这些研究结果将对高性能透明显示屏的制备提供重要的理论依据。
Mie散射 纳米核壳结构 透明显示 Mie scattering Core-shell nanostructure Transparent display 
光散射学报
2019, 31(2): 123
作者单位
摘要
1 郑州航空工业管理学院 理学院, 郑州 450046
2 中国科学院微电子研究所, 北京 100029
通过建立数值模型, 分析了垂直腔面发射激光器相干耦合阵列单元数量、单元间距、单元间相位差对光束质量及偏转角度的影响.仿真结果表明, 单元数量越多, 发散角越小; 单元间距越小, 旁瓣强度越小; 单元间相位差越大, 偏转角度越大.因此, 设计相干阵列时, 需要尽量减小单元间距, 增大阵列规模, 实现单元间大相位差的控制.实验制备了3单元相干耦合阵列, 通过分离电极实现了单元注入电流的独立控制以及单元间相位差的控制, 最终实现二维方向上的光束操控.
半导体光电器件 垂直腔面发射激光器 相干耦合阵列 光束偏转 质子注入 Semiconductor optoelectronic devices Vertical cavity surface emitting laser Coherently coupled array Beam steering Proton implantation 
光子学报
2019, 48(1): 0114004
作者单位
摘要
1 郑州航空工业管理学院 理学院, 河南 郑州 450046
2 中国科学院 微电子研究所, 北京 100029
质子注入型面发射激光器相干耦合阵列能够实现同相模式的激射, 但是由于制作过程中的工艺不均匀性引起单元间存在相位差, 影响光束的质量。本文通过设计分离电极结构, 使每个单元注入的电流得到分别的控制, 实现了3单元三角排列阵列高光束质量同相耦合模式的激射。阵列远场发散角仅为3.4°, 大约有25.6%的全部能量聚集在中心光斑。激射光谱的线宽为0.24 nm, 边模抑制比为27 dB。该方法能够有效提高相干耦合阵列的光束质量, 弥补制作工艺中引入的单元不均匀性, 提高器件的可靠性和实用性。质子注入方法简单、成本低, 能够成为制作高光束质量相干耦合阵列的一个重要方法。
质子注入 垂直腔面发射激光器 同相耦合 proton implantation vertical cavity surface emitting laser(VCSEL) coherent coupling multi contacts 
发光学报
2018, 39(6): 844
许坤 1邹杰 2陈谋 1,2
作者单位
摘要
1 南京航空航天大学自动化学院,南京 211106
2 光电控制技术重点实验室,河南 洛阳 471000
针对移动机器人的室内精确定位问题,设计了基于可信度的自适应联邦滤波定位方法。首先,根据移动机器人和室内环境特点,设计了一个多传感器定位系统,并对传感器进行了具体配置。为处理多传感器数据,引入联邦滤波器,并对各子滤波器进行具体设计, 在此基础上对测量数据进行融合,从而获取移动机器人的位姿估计。然后,基于具体传感器特性,根据模糊推理给出了相应传感器测量数据的可信度因子, 同时,基于可信度因子,设计了联邦滤波器的自适应融合算法,并给出了室内移动机器人的定位结果。最后,通过仿真分析验证了所设计定位算法的有效性。
移动机器人 室内定位 联邦滤波 可信度因子 数据融合 mobile robot indoor localization federated filtering credibility factor data fusion 
电光与控制
2016, 23(9): 77
作者单位
摘要
1 郑州航空工业管理学院 理学院, 河南 郑州450046
2 国家知识产权局专利局 专利审查协作河南中心, 河南 郑州450043
3 北京工业大学 电控学院, 北京100124
使用一维ZnO纳米线和二维石墨烯复合结构集成到p-GaN表面来同时实现电流扩展和提高LED光提取效率。通过两组有无ZnO纳米线器件的对比, 发现ZnO纳米线使器件的光提取效率提高了30%. 通过分析两组器件的开启电压、工作电压和反向漏电流等关键参数, 验证了本结构应用于GaN LED不会恶化其电性能。本文所采用的复合结构用于GaN LED, 同时达到了良好欧姆接触、避免使用ITO和增强出光的效果。
氧化锌 氮化镓LED 石墨烯 透明导电层 ZnO GaN LED graphene transparent conductive layer 
发光学报
2016, 37(12): 1554
作者单位
摘要
1 北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京100124
2 中国科学院半导体研究所, 北京100083
报道了使用石墨烯作为阳极材料的GaN肖特基型紫外探测器。介绍了光敏面为1mm×1mm的新型肖特基紫外探测器的制备过程。并对器件进行了响应光谱、I-V特性测试。器件的响应光谱较为平坦, 峰值响应度为0.175A/W; 通过对石墨烯进行化学修饰, 使峰值响应度增加到0.23A/W。并根据热电子发射理论, 计算出了器件掺杂前后的肖特基势垒高度分别为0.477eV和0.882eV, 验证了器件性能的提高主要原因是石墨烯功函数的增加。
肖特基 紫外探测器 石墨烯 响应光谱 GaN GaN Schottky ultraviolet detector graphene response spectrum 
半导体光电
2016, 37(1): 30

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!