通过磨斜角,用光致发光法测量了GaP:N液相外延(LPE)材料中n区和p区的发光强度。从被测点的荧光谱中可以看出,n区和p区均为发光区域,但是在p-n结两侧氮(N)浓度大致相同的情况下,p区的发光强度明显高于n区的发光强度,约为n区发光强度的3～5倍。此实验结果表明,在p、n结附近杂质浓度较低情况下,GaP:N绿色发光外延材料中的发光区域主要是在p区。
GaP:N液相外延材料 光致发光 发光区域。
1 浙江大学应用数学系, 杭州 310027
2 浙江大学物理系, 杭州 310027
提出了一种通过光热法测定与样品表面温度有关的光热信号,重构反映多层不均匀材料中光吸收系数深度分布的理论处理和新的有效数值计算方法。数值模拟显示了较好的逼近效果。
深度 分布 光吸收 多层材料
1 浙江大学物理系, 杭州 310027
2 南京大学近代声学国家重点实验室, 南京 210930
Rosencwaig-Gersho的光声效应理论推广应用于三层固体材料的研究。给出了在固体和气体交界处的周期温度的一般表达式。数值计算并分析了三层材料中光、热参数和样品厚度变化对光声信号幅度、相位与频率变化关系的影响,并与实验结果进行了对照。
光声效应 三层固体材料 周期温度
1 中国计量学院基础部, 杭州 310034
2 浙江大学物理系, 杭州 310027
研究了加入敏化离子Cr3+和Er3+的Tm:YAG晶体的吸收谱和荧光谱,计算了Cr3+、Er3+、Tm3+离子的2E、4I13/2、3F4能态的平均寿命及能量；转移效率、转移速率.得出Cr3+→Tm3+转移效率为80%,转移速率为2.1×103 s-1.由(Er,Tm):YAG的荧光谱可见存在Er3+→Tm3+的有效的能量转移.讨论了Cr3+→Tm3+和Er3+→Tm3+能量转移的不同.
能量转符合 Cr3+、Er3+、Tm3+离子 YAG晶体
本文测量了用激光加热基座法拉制的Nd:YAG单晶光纤(具有块状晶体)的吸收谱线,荧光谱线等光谱学特性.根据测得的散射特性分析了用该法拉制的单晶光纤的生长缺陷和直径波动及其与单晶光纤质量的关系.
单晶光纤 光学特性 生长缺陷
本文描述了一套用以测量单晶光纤损耗谱的装置。本装置由卤钨灯,单色仪,积分球,AgORbCs光电倍增管以及数据采集,处理和控制系统组成。可测量300～1150nm的光谱范围。利用本装置可获得单晶光纤的吸收光谱,透过率谱,散射光谱以及散射位置谱。
单晶光纤
本文考虑到薄膜样品表面的多次反射,从理论上推导了光声信号的表达式.对α-Si:H薄膜和掺硫α-Si:H薄膜随入射光波长变化的吸收系数曲线进行了测定,并获得了光学带隙与掺硫浓度的关系.
掺硫α-Si H薄膜的光声光谱(PAS)
本文介绍了由脉冲式溴代铜激光器和Boxcar平均器等组成的光致发光测量装置.测量了液相外延片GaP:N在不同温度(80～300K)下和不同厚度处的光致发光谱.根据谱图,分析了绿色发光机理.
