作者单位
摘要
1 长春理工大学 科技园,长春 130022
2 重庆光电技术研究所,重庆 400060
3 长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022
为改善高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)电流注入均匀性,提高光束输出质量和器件的输出功率,设计并研制出808nm高功率网状电极VCSEL。将VCSEL P面的注入电极由传统的环形结构改为网状结构并且热沉位于N面电极。实验制备了出光孔径同为500μm的传统环形电极和网状电极两种高功率VCSEL,并对器件的性能进行了对比测试。测试结果表明,网状电极结构高功率VCSEL相对传统环形电极结构高功率VCSEL器件具有良好的光电特性,室温下新结构高功率VCSEL的阈值电流为430mA,斜率效率为0.44mW/mA,电光转换效率可达21.7%,最大输出功率可达420mW,是传统结构高功率VCSEL输出功率的2.27倍。
垂直腔面发射半导体激光器 网状电极 高功率 近场发光均匀性 VCSEL reticular electrode highpower homogeneity in nearfield pattern 
半导体光电
2011, 32(6): 781
作者单位
摘要
重庆光电技术研究所, 重庆 400060
选取窗口结构强度相对较弱的圆形平面玻璃光窗外壳,就该类外壳最薄弱的带光窗管帽受力状态进行了有限元分析,根据强冲击下结构与应力的变化趋势优化设计了管帽结构,结果显示经结构优化的管帽能承受1×104g的强冲击,满足光电器件封装的高强度要求。
高强度 带光窗管帽 有限元分析 high strength cap with optical window finite element analysis 
半导体光电
2011, 32(2): 192

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