1 兰州理工大学理学院,兰州,730050
2 有色金属新材料国家重点实验室,兰州,730050
3 西北师范大学物理与电子工程学院,兰州,730070
用密度泛函理论(DFT)中的杂化密度泛函B3LYP方法,在6-31G(d)的水平上对Si4N4团簇的可能结构进行了几何结构优化和电子结构计算,得到了可能的17个异构体.Si4N4团簇的最稳定结构是有8个Si-N键的平面结构.用自然键轨道(NBO)方法分析了成键性质.计算结果表明.Si-N键中Si原子向N原子有较大的电荷转移,因此Si-N原子问有较强的电相互作用;最强的IR和Raman谱峰分别位于1387.64cm-1和1415.05 cm-1处;并计算了Si4N4团簇的最稳定结构的极化率和超极化率.
氮化硅 团簇 结构与性质 密度泛函理论 silicon nitride cluster structure and properties density functional theory 原子与分子物理学报
2007, 24(5): 1105
1 兰州理工大学理学院,兰州,730050
2 兰州理工大学有色金属合金及加工教育部重点实验室,兰州,730050
3 西北师范大学物理与电子工程学院,兰州,730070
用密度泛函理论(DFT)中的杂化密度泛函B3LYP方法, 在6-31G(d)的水平上对Si6N2团簇的可能结构进行了几何结构优化和电子结构计算, 得到了16个可能的异构体. Si6N2团簇的最稳定结构是有4个Si-N键和4个Si-Si键的三维结构.自然键轨道方法分析成键性质的结果表明,Si-N键中Si原子向N原子有较大的电荷转移,因此Si-N原子间有较强的电相互作用;最强的IR和Raman谱峰分别位于1359.14 cm-1和1366.29 cm-1处;并计算了Si6N2团簇的最稳定结构的极化率和超极化率.
氮化硅 团簇 结构与性质 密度泛函理论 原子与分子物理学报
2007, 24(z1): 99
1 兰州理工大学应用物理系,兰州,730050
2 兰州理工大学有色金属新材料国家重点实验室,兰州,730050
3 陕西铁路机械工程学院建筑工程系,渭南,714000
用杂化密度泛函B3LYP在6-31G*的水平上研究了Si3N4团簇可能结构的平衡几何构型和电子结构,得到了24个可能的异构体.Si3N4团簇的最稳定结构是由7个Si-N键和2个N-N键形成的3个四边形构成的三维结构.用自然键轨道方法(NBO)分析了成键性质,结果表明,S-N键中的S、N原子的净电荷较大,说明S-N键中Si、N原子的相互作用主要是电相互作用.最强的IR和Raman峰分别位于1033.40 cm-1,473.63 cm-1处.并且讨论了最稳定结构的极化率和超极化率.
团簇 结构与性质 密度泛函 氮化硅 原子与分子物理学报
2006, 23(4): 694
1 兰州理工大学有色金属新材料国家重点实验室,兰州,730050
2 西北师范大学物理与电子工程学院,兰州,730070
用遗传算法结合Gupta紧束缚模型势研究了Irn(n=2-25)团簇的基态结构.分析了Irn(n=2-25)团簇的基态结构随团簇尺寸的变化规律.计算结果表明,Irn(n=2-25)团簇的每个原子的平均束缚能和平均第一近邻随团簇尺寸的增加而增大,以总束缚能的二阶差分为判据,Irn(n=2-25)团簇的幻数是4、7、9、13、15、19、23.
Irn(n=2-25)团簇 遗传算法 Gupta势 原子与分子物理学报
2006, 23(1): 122
