中国计量大学光电材料与器件研究院, 浙江 杭州 310018
采用高温熔融法制备了Tm 3+离子单掺杂及Ho 3+/Yb 3+共掺杂的碲锗酸盐玻璃,并研究了其在2 μm波段的发光性能。在808 nm激光二极管泵浦下,在Tm 3+单掺杂的碲锗酸盐玻璃中获得了1.81 μm波长的荧光,荧光的半峰全宽达211 nm,发射截面为6.32×10 -21 cm 2。在980 nm激光二极管泵浦下,在Ho 3+/Yb 3+共掺杂的碲锗酸盐玻璃中获得了2.03 μm波长的荧光,荧光的最大半峰全宽为170 nm,发射截面为3.2×10 -21 cm 2。研究结果表明,稀土离子掺杂的碲锗酸盐玻璃不仅具有优良的物化性能,而且具有优良的中红外2 μm发光性能,在中红外超短脉冲激光玻璃光纤材料领域具有潜在的应用价值。
材料 碲锗酸盐玻璃 稀土离子掺杂 2 μm发光性能 中红外发光 中国激光
2020, 47(10): 1003004
1 北京星英联微波科技有限责任公司, 北京 100084
2 成都英联科技有限责任公司, 四川 成都 610041
3 南京航空航天大学 航天学院, 江苏 南京 210016
基于六阳极结反向串联型GaAs平面肖特基二极管, 设计并实现了0.2 THz大功率二倍频器。肖特基二极管倒装焊接在50 μm石英电路上。采用电磁场和电路联合设计仿真获得了二倍频器的倍频效率。当入射功率在100 mW时, 输出频率在190~225 GHz带内效率大于5%。在小功率(Pin≈100 mW)和大功率(Pin≈300 mW)注入条件下, 测试了倍频电路的输出功率和倍频效率。在100 mW驱动功率下采用自偏压测试, 最大输出功率为14.5 mW@193 GHz, 对应倍频效率为14%; 在300 mW驱动功率下采用自偏压测试, 在188~195 GHz, 输出功率大于10 mW, 最大输出功率为35 mW@192.8 GHz, 对应倍频效率为11%。
太赫兹 二倍频器 GaAs平面肖特基二极管 非平衡式 terahertz doubler multiplier GaAs planar Schottky diode unbalanced 红外与激光工程
2019, 48(12): 1219002
中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083
在混合式焦平面阵列中,探测器和读出电路的耦合通过输入级电路实现.为分析输入电路对探测器-放大器系统性能的影响,用分立元件设计制作了一个三级的前置放大器并进行了模拟实验,实验表明放大器输入级噪声是造成探测器信噪比下降的主要因素,应用中应该选用具有特定噪声性能的放大器与探测器匹配.研究了焦平面中常用的直接注入(DI)和电容反馈放大电路(CTIA)与探测器耦合时在噪声、输入阻抗、工作点匹配等方面应具备的条件.提出了临界输入阻抗的概念,实验表明,当电路的输入阻抗低于此临界值时(对于GaN p-i-n光伏探测器来说约为106Ω),焦平面才能获得较高的注入效率.
焦平面 输入电路 直接注入 电容反馈放大电路
