基于六阳极结反向串联型GaAs平面肖特基二极管, 设计并实现了0.2 THz大功率二倍频器。肖特基二极管倒装焊接在50 μm石英电路上。采用电磁场和电路联合设计仿真获得了二倍频器的倍频效率。当入射功率在100 mW时, 输出频率在190~225 GHz带内效率大于5%。在小功率(Pin≈100 mW)和大功率(Pin≈300 mW)注入条件下, 测试了倍频电路的输出功率和倍频效率。在100 mW驱动功率下采用自偏压测试, 最大输出功率为14.5 mW@193 GHz, 对应倍频效率为14%; 在300 mW驱动功率下采用自偏压测试, 在188~195 GHz, 输出功率大于10 mW, 最大输出功率为35 mW@192.8 GHz, 对应倍频效率为11%。

基于四阳极结反向串联型GaAs平面肖特基二极管, 设计并实现了0.2 THz宽带非平衡式二次倍频电路。肖特基二极管倒装焊接在75 ?滋m石英电路上。在小功率和大功率注入条件下, 测试了倍频电路的输出功率和倍频效率。输入功率在10~15 mW时, 通过加载正向偏置电压, 在210~224 GHz, 倍频效率大于3%, 在212 GHz处有最高点倍频效率为7.8%。输入功率在48~88 mW时, 在自偏压条件下, 210~224 GHz带内倍频效率大于3.6%, 在214 GHz处测得最大倍频效率为5.7%。固定输出频率为212 GHz, 在132 mW功率注入时, 自偏压输出功率最大为5.7 mW, 加载反向偏置电压为-0.8 V时, 输出功率为7.5 mW。