研究了半导体／绝缘体复合材料的介电特性和光学吸收特性随外加场频率和半导体颗粒形状的变化规律，利用有效介质近似理论(EMA)进行数值模拟，当外加场的频率发生改变时，复合材料的介电特性有一个峰值存在，随半导体颗粒体积分数的增大，峰值也随之增强；而复合材料的光谱特性随频率的变化有两个峰值存在，随着半导体纳米颗粒的体积分数及形状的改变，相应的峰值也发生改变。
形状因子 半导体纳米颗粒 吸收光谱 shape factor semiconductor Nano-granul absorb spectrum
利用通常的Maxwell-Garnett模型,研究了粒子具有形状分布的无规非线性金属/陶瓷薄膜有效光学非线性性质随温度的变化关系.并给出了金属颗粒具有一定形状分布时两组份复合物的谱密度函数.数值结果表明,光学非线性增强与温度和组分的体积分数都有关,同时将伴随着共振峰的"蓝移"现象.
非线性光学 形状分布 光学非线性增强 金属-陶瓷薄膜 介电函数 nonlinear optics shape distribution optical nonlinearity enhancement metal-cermet films dielectric function
1 江苏大学,物理系,镇江,212013
2 南京师范大学,江苏省光电中心实验室,南京,210097
3 镇江船艇学院,物理系,镇江,212003
用数值法求解含高阶色散效应的光孤子NLS方程,数值求解发现三阶色散效应使孤子脉座单边振荡和四阶色散效应使孤子脉座的双边振荡,导致临近的脉冲相互重叠和脉冲形状畸变,在孤子对间激起次脉冲,从而造成系统误码,提出重点应对三阶色散进行补偿以减小系统误码.
数值解 孤子 高阶色散 误码
对两组份非线性复合材料的光学非线性性质的临界行为进行了研究。考虑第一组份为非线性材料,其电流、电压间服从I=g1V+χ1Vβ关系;而第二组份为线性材料,电流、电压间满足I=g2V,其中g1,χ1是第一组份的线性电导和光学非线性极化率,g2是第二组份的线性电导,β是第一组份材料的光学非线性指数。分别采用了有效介质近似和相对电阻涨落的标度理论两种方法计算了系统有效响应的临界指数随光学非线性指数及维数的变化规律。用不同的方法得到系统的有效线性电导ge和有效光学非线性极化率χe(β)的临界指数M(β)和N(β)的结论也不同。有效介质近似得到M(β)=1和N(β)=(β+1)/2,即M(β)与β和d都无关,而N(β)只与有β关而与d无关;而相对电阻涨落标度理论方法得到的M(β)和N(β)与β和d都有关。
非线性光学 临界行为 有效介质近似 相对电阻涨落标度理论
