厦门大学 物理系 半导体光子学研究中心, 福建 厦门 361005
采用锗(Ge)浓缩技术对绝缘层上锗硅(SGOI)材料进行循环氧化、退火, 制备出19nm厚的绝缘层上锗(GOI)材料。然后对该GOI材料在400℃下进行O3氧化, 以进一步减薄GOI的厚度。采用高分辨透射电镜(HRTEM)、X射线反射(XRR)和原子力显微镜(AFM)等对样品形貌和结构进行表征。测试结果显示, O3氧化减薄后的GOI晶体质量得到提高, 且表面更加平整(厚度减薄2.5nm, 粗糙度RMS降低0.26nm)。通过循环的O3氧化减薄, 可获得高质量的超薄(小于10nm)GOI材料, 用于制备超薄高迁移率沟道Ge MOSFET。
锗浓缩 超薄GOI O3氧化 减薄 粗糙度 Ge condensation ultra-thin GOI O3 oxidation thinning roughness
厦门大学物理与机电工程学院物理学系, 厦门 361005
随着晶体管尺寸的日益缩小, 不良热效应成为晶体管失效重要原因之一。现有的检测器件热分布的手段的空间分辨率较低, 不能原位直观地获得这些尺寸越来越小的晶体管的工作过程中的热分布情况。本文针对以上问题, 在变温系统上探索利用激光显微拉曼光谱技术原位检测晶体管的自热效应, 结果表明可以通过器件衬底上硅的一阶声子振动的拉曼谱峰频率随温度的位移的程度探测器件的温度, 并测得 β-FeSi2/Si二极管工作温度。该技术是一种行之有效的探测器件温度变化的手段。
激光显微拉曼 热效应 晶体管 硅 频率位移 laser Raman microscopy heating effect transistor silicon frequency shift
厦门大学 物理系 半导体光子学研究中心， 福建 厦门 361005
理论和实验研究表明，在一定的应变和掺杂浓度下，Si基外延Ge薄膜能实现1.55μm光通信波段的直接带隙发光。讨论了Si基外延Ge材料的生长技术及其能带结构，结合本小组近年来在该领域所取得的成果，介绍了国内外各研究机构对Ge薄膜发光材料和器件的研究进展，展望了未来的发展趋势。
Si基外延Ge 应变 掺杂 光致发光 电致发光 Ge epitaxy strain doping photoluminescence light emitters
提出一种使用振幅调制和功率谱相减的联合变换相关器(JTC)作多目标检测。这一方法对联合功率谱作了修正,先将联合功率谱减去纯输入景物的功率谱和参考图象的功率谱,再将所得修正的联合功率谱(JIS)乘以振幅调制滤波(AMF)函数。分析和量化了输入景物噪声对联合变换相关器性能的影响。这种方法比条纹调节的联合变换相关器和修正的条纹调节的联合变换相关器能产生更好的相关输出和适应输入景物噪声的能力。
光学图像识别 联合变换相关器 多目标检测 功率谱
提出一种位相调制的实时联合变换相关器。它采用液晶显示屏作为输入器件,用液晶光阀记录和显示联合功率谱。利用液晶显示屏上的光栅状结构的衍射级,提高光能的利用率,并充分利用液晶光阀的有效使用面积。采用成像透镜放大各衍射级的联合频谱,适应液晶光阀较低的分辨率要求。在相关器的光路中插入两块倾斜的平行平面玻璃板,以改变各衍射级的参考图像和目标图像之间的位相差。这种方法可产生比传统的实时联合变换相关器更好的输出相关性能。实验结果证实了该系统设计及性能分析的正确性。
实时联合变换相关器 光学图像识别 位相调制
提出一种使用功率谱相减的实时联合变换相关器作多目标检测。使用这种方法,输入面有两套联合图像。在第二套联合图像中,参考图像是对比度反转的。使用衍射光栅对这两套联合功率谱作相减处理,这种方法可大大抑制输出面的直流项及不想要的伪相关峰,增强相关峰的强度、锐度和峰噪比,提高抗噪声干扰的能力,从而提高对多目标检测的准确度。给出对具有灰度级的多目标输入景物的计算机模拟结果和光学实验结果。实验结果证实了该系统设计及性能分析的正确性。
提出一种新的采用高通滤波的二元联合变换相关器。这种相关器与一般的二元联合变换相关器的差别在于联合功率谱作二元处理之前先进行高通滤波。使用这种技术,可以产生比二元联合变换相关器更好的相关输出性能。给出对含有灰度级物体的输入景物的计算机模拟结果。
光学图像识别 光学相关 联合变换相关器
