李建刚 1,2黄诗浩 1,2,*郑启强 1,2杨鑫 1,2[ ... ]周伯乐 3
作者单位
摘要
1 福建工程学院 微电子技术研究中心,福建 福州 350100
2 福建工程学院 工业自动化福建省高校工程研究中心,福建 福州 350118
3 深圳市智致物联科技有限公司,广东 深圳 518116
针对工业实际项目提出一种高效、准确的二维码识别方法,并开发了基于机器视觉的二维码高速、批量识别系统。首先根据被测二维码在目标子空间内的位置,提出利用几何关系定位每个二维码感兴趣区域并批量处理二维码的方法。在此基础上,采用添加高斯噪声的方式模拟生产实际中可能产生的噪声,评估系统抗噪能力。最后分析系统识别率与二维码运动速度的关系并比较实验结果。通过实验验证,在1800张的测试数据集中,二维码移动速度在296.8 mm/s情况下,无噪声图像中每个二维码定位识别平均时间为17.8 ms,有噪声图像为21.3 ms,识别率均为100%,该系统满足实时在线检测需求。
机器视觉 条码识别 线阵相机 图像处理 machine vision barcode recognition linear array camera image processing 
应用光学
2021, 42(2): 276
作者单位
摘要
1 福建工程学院应用技术学院, 福建 福州 350118
2 福建工程学院信息科学与工程学院, 福建 福州 350118
3 福建工程学院微电子技术研究中心, 福建 福州 350118
采用形变势理论系统地研究了(001)、(110)、(111)晶面双轴张应变以及[001]、[110]、[111]晶向单轴张应变Ge1-xSnx导带结构。结果表明:在 (001)、(110)晶面施加双轴张应变以及[001]晶向施加单轴张应变时,直接带隙Γ能谷的下降速度快于间接带隙L能谷;在 (111)晶面施加双轴张应变以及[110] 、[111]晶向施加单轴张应变时,间接带隙L能谷的下降速度快于直接带隙Γ能谷。因此,可利用(001)、(110)晶面双轴张应变以及[001]晶向单轴张应变实现通过减小Sn的组分将Ge1-xSnx合金调控为直接带隙材料的目的。相关结论可为Ge1-xSnx合金的实验制备及器件仿真等提供关键参数和理论指导。
材料 Ge1-xSnx合金 双轴张应变 单轴张应变 能带工程 
激光与光电子学进展
2020, 57(9): 091602
作者单位
摘要
厦门大学 物理系 半导体光子学研究中心, 福建 厦门 361005
理论和实验研究表明,在一定的应变和掺杂浓度下,Si基外延Ge薄膜能实现1.55μm光通信波段的直接带隙发光。讨论了Si基外延Ge材料的生长技术及其能带结构,结合本小组近年来在该领域所取得的成果,介绍了国内外各研究机构对Ge薄膜发光材料和器件的研究进展,展望了未来的发展趋势。
Si基外延Ge 应变 掺杂 光致发光 电致发光 Ge epitaxy strain doping photoluminescence light emitters 
半导体光电
2011, 32(3): 304

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