二维材料由于独特的光学和电学特性，在光电子器件领域具有广阔的应用前景。作为最具代表性材料之一的二硫化钼，因具有原子级界面和层数关联的能带结构，在光电探测领域拥有诸多重要的优势。近年来，基于纯粹的二硫化钼器件性能已达瓶颈。为进一步提升性能，能带工程、铁电极化、等离激元共振等方法也已被用于光电探测器，并取得重要进展，但整个知识体系尚未建立完善。基于此，从光电探测器理论和应用出发，简要总结了二硫化钼光电探测的最新研究现状，重点阐述了上述三种二硫化钼新型器件的原理、结构设计、制备与光电性能，为进一步深入研究机理和应用提供了重要参考和指导。

采用形变势理论系统地研究了(001)、(110)、(111)晶面双轴张应变以及[001]、[110]、[111]晶向单轴张应变Ge1-xSnx导带结构。结果表明:在 (001)、(110)晶面施加双轴张应变以及[001]晶向施加单轴张应变时,直接带隙Γ能谷的下降速度快于间接带隙L能谷;在 (111)晶面施加双轴张应变以及[110] 、[111]晶向施加单轴张应变时,间接带隙L能谷的下降速度快于直接带隙Γ能谷。因此,可利用(001)、(110)晶面双轴张应变以及[001]晶向单轴张应变实现通过减小Sn的组分将Ge1-xSnx合金调控为直接带隙材料的目的。相关结论可为Ge1-xSnx合金的实验制备及器件仿真等提供关键参数和理论指导。