折射率是光学晶体的基本参数，准确测定晶体的折射率能够为晶体的电光、声光、非线性应用提供基本计算参数和实验参量。为了准确测定Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PMN-PT)晶体在可见光和近红外波段的折射率系数，搭建了激光自准直折射率测量系统，对纯铌酸锂晶体的折射率测试结果与现有文献报道误差小于1/1 000，使用该系统对沿<001>极化的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.39PbTiO3(PMN-0.39PT)单畴晶体进行了测定，得到了单畴的PMN-0.39PT晶体在波长分别为594 nm、633 nm、1 150 nm和1 520 nm时的折射率和色散方程，测量结果与现有文献规律性一致。结果表明该方法可用于准确快速测定新型电光晶体折射率。

为了探究入射光偏振态对四频差动激光陀螺法拉第片最佳入射角的影响, 建立四频差动激光陀螺法拉第片三光束干涉的琼斯矩阵, 利用计算机进行数值计算, 模拟圆偏振光和椭圆偏振光在陀螺仪内的传播方程, 并通过搜索不同入射角情况下-40℃～80℃温度范围内磁圆二向色性差分损耗的振幅最小值来选取最佳入射角。结果表明, 圆偏振模式下和椭圆偏振模式下法拉第片的最佳入射角有一定差别, 这种差别足以影响到激光陀螺仪的测量精度, 因此在安装法拉第片时应考虑入射光偏振态对其最佳入射角的影响; 此外, 法拉第片的最佳入射角与入射光s分量（垂直于入射面）、p分量（平行于入射面）在反射镜上的反射相位差以及反射镜的反射系数均有关。

为了研究广义高斯光束特性中未曾研究过的光斑半径长短轴(wmax, wmin)的最小值位置(lwmin, lwmax)和曲率半径R1, R2两个特殊位置的突变点(lR1, lR2)之间的关系, 并由它们的关系发现广义高斯光束的一些新的特殊性质, 先采用abc参量法进行理论推导, 得出无法得到lwmin, lwmax, lR1, lR2位置关系的简单解析解表达式, 进而采用计算机软件进行数值分析, 得到它们与初始点参量wmax,0, wmin,0, R1,0, R2,0以及旋转角φR1相应的关系图。结果表明, 光斑半径长短轴的最小值位置始终处于曲率半径两个极值的突变位置之间, 且lwmin, lwmax, lR1, lR2大致分布在l=0附近, lwmin相比较其它三者而言, 出现明显不连续突变情况, 这对实际普遍情况下的广义高斯光束是成立的。

分别使用X衍射仪和紫外(190nm～800nm)分光光度仪，测量了用分子束外延法生长在SiC(001)基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱．X衍射表明：实验所用的AIN薄膜在c－轴存在应变和应力，该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与基底SiC的晶格常量不匹配所致．透射谱表明：AIN薄膜的禁带宽度大约为6．2eV；而其对应的吸收谱在6．2eV处存在一个明显的台阶，此台阶被认为是AIN薄膜中的带边自由激子吸收所产生，忽略激子的结合能(与禁带宽度相比)，则该值就对应为AIN的禁带宽度．而其对应的不同温度下(10k～293k)的吸收谱的谱线的形状和位置无明显的变化表明：温度对AIN薄膜的禁带宽度亦无明显的影响，这主要是由于在AIN薄膜中存在着应力所致．

利用X射线衍射技术对用直流反应磁控溅射技术沉积在蓝宝石基底(100)晶面上的氮化铝(AlN)薄膜进行了晶体结构分析,对X射线衍射图样的分析结果表明

观测了金纳米球壳微粒(纳米级Au-2S介质外包裹一层纳米级厚的金壳)的荧光光谱,与块状Au2S的荧光峰相比,金纳米球壳的荧光峰蓝移到蓝绿区域。蓝移的主要原因是核壳纳米复合结构中的表面态和量子尺寸效应。