1 西北工业大学航天学院, 陕西 西安 710072
2 96361部队, 青海 西宁 810100
采用 SURF算法对地面背景下红外目标识别。采用具有实时性的自适应中值滤波器和小波分频与直方图均衡的图像增强方法, 对图像进行预处理, 拉开目标与背景的灰度差异, 从而突出目标, 以便识别。对预处理完的图像采用 SURF特征提取匹配的方法进行红外目标识别。仿真实验中重点对 SURF特征匹配阈值和匹配特征点的数量进行了研究。实验表明, 文中方法对地面背景下红外目标识别效果较好。
红外目标识别 图像预处理 SURF SURF infrared target recognition image preprocessing
1 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室 ，上海200083
2 英国兰卡斯特大学 物理系，英国 兰卡LA1 4YB, UK
采用改进的快速推舟液相外延技术在GaAs衬底上成功地生长了GaSb量子点材料.通过原子力显微镜观测了不同生长参数下GaSb量子点材料的形貌(形状、尺寸、密度、尺寸分布均匀性等).分析了不同衬底、不同生长源配比、生长源与衬底的不同接触时间等生长条件参数对GaSb量子点生长的影响.研究表明在 GaAs衬底上、富镓生长源配比以及较短的生长源和衬底接触时间下更易获得高质量的GaSb量子点.上述生长条件的摸索和研究对于GaSb量子点器件应用具有重要意义.
GaSb量子点 二类量子点结构 液相外延 原子力显微镜 GaSb quantum dots type-II QDs structure Liquid Phase Epitaxy atomic force microscopy
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海 200083
将少量氮原子加入III-V族半导体后可引起能带减小，因此这种方法可以用来实现能带结构裁剪。这种新型稀氮化物显示出了奇特的物理性质，并且具有应用 于新型光电器件的潜力。特别是，备受关注的稀氮InAsN和InSbN在中长波红外光电材料上具有巨大的应用价值，并将在中长波红外器件应用领域发挥重要的作用。
稀氮III-V族半导体 中长波红外器件 dilute nitride III-V semiconductor InAsN InAsN InSbN InSbN medium-long wave infrared photoelectric device
对射频磁控溅射生长的非晶态碲镉汞（a-MCT）薄膜在真空状态下进行退火，并通过X 射线衍射（XRD）技术指出原生及低于125℃退火后的MCT 薄膜均为非晶态。采用双体相关函数g(r)和电学测试系统研究了退火对a-MCT 薄膜微结构和光敏性的影响。结果表明：经110℃、115℃和120℃退火后的a-MCT 薄膜短程有序畴Rs 由退火前的13.9 ? 分别增大至17.9 ?、20.8 ? 和26.2 ?；光敏性则由原来的1.17，分别增加至退火后的2.01、2.67 和4.25。
非晶态碲镉汞（a-MCT） 退火 双体相关函数 光敏性 Amorphous MCT (a-MCT) annealing pair correlation function photosensitivity
