1 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室 ，上海200083
2 英国兰卡斯特大学 物理系，英国 兰卡LA1 4YB, UK
采用改进的快速推舟液相外延技术在GaAs衬底上成功地生长了GaSb量子点材料.通过原子力显微镜观测了不同生长参数下GaSb量子点材料的形貌(形状、尺寸、密度、尺寸分布均匀性等).分析了不同衬底、不同生长源配比、生长源与衬底的不同接触时间等生长条件参数对GaSb量子点生长的影响.研究表明在 GaAs衬底上、富镓生长源配比以及较短的生长源和衬底接触时间下更易获得高质量的GaSb量子点.上述生长条件的摸索和研究对于GaSb量子点器件应用具有重要意义.
GaSb量子点 二类量子点结构 液相外延 原子力显微镜 GaSb quantum dots type-II QDs structure Liquid Phase Epitaxy atomic force microscopy
1 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所 激发态物理重点实验室, 吉林 长春130033
2 中国科学院 研究生院, 北京100039
通过对多层GaSb量子点的生长研究, 发现随着生长层数的增加, 量子点尺寸逐渐变大, 密度没有明显变化, 并且量子点出现了聚集现象;当层数增加到一定数量、量子点聚集到一定大小时, 聚集的量子点处会出现空洞。这些现象表明, 各层量子点在生长过程中存在关联效应, 并且GaAs层不能很好地覆盖在聚集的量子点之上, 在继续生长其它量子点层时, 聚集的量子点处在高温下出现GaSb的蒸发, 从而出现空洞。 PL谱出现了很宽的量子点发光峰, 这很可能是由于多层量子点在生长时大小分布较宽而导致的结果。
GaSb量子点 PL谱 关联效应 LP-MOCVD LP-MOCVD GaSb quantum dots PL spectrum relatedness effects
