研究了SrWO4晶体在外置谐振腔条件下对于皮秒激发脉冲的受激拉曼散射特性。采用提拉法生长了高光学质量的SrWO4晶体,尺寸为22 mm×40 mm,质量为72.3 g。利用分光光度计测量了SrWO4 晶体的室温透过光谱,其透过短波限为260 nm,长波限大于3200 nm,因此可在较宽波长范围内实现拉曼激光频移。当激发源为脉宽40 ps的Nd:YAG锁模激光时,多波长拉曼输出的总转换效率达到73%,最大输出能量2.58 mJ;1180 nm一级斯托克斯拉曼输出的最高转换效率为38%,最大输出能量1.04 mJ;1324 nm二级斯托克斯拉曼输出的最高转换效率为19.3%,最大输出能量0.39 mJ。实验表明,SrWO4晶体具有易生长、透光波段宽、增益系数大、转换效率高等优点,是一种有实际应用前景的固体拉曼介质。

为了实现新波长、高效率的激光输出,建立了外腔型拉曼实验装置并对YVO4晶体进行了测量。采用提拉法生长了最大尺寸为28 mm×40 mm,质量为126 g的高光学质量YVO4晶体,以脉冲宽度为40 ps的Nd:YAG锁模激光器作为激发源,研究了YVO4晶体的外腔拉曼输出特性。结果显示,该激光器多波长输出的总转换效率达到51.4%,最大输出能量为2.21 mJ;1 175 nm一级斯托克斯拉曼输出的最高转换效率为32%,最大输出能量为0.57 mJ;1 313 nm二级斯托克斯拉曼输出的最高转换效率为12.3%,最大输出能量为0.36 mJ。结果表明,采用外腔型结构可使YVO4晶体的拉曼输出性能显著提高。

采用腔外单次通过方式, 实现了BaWO4晶体的高效受激拉曼散射(SRS)。当抽运光为532 nm皮秒激光脉冲时获得了5级斯托克斯线(559.64 nm,590.26 nm,624.42 nm,662.76 nm,706.18 nm)和3级反斯托克斯线(463.42 nm,484.24 nm,507.04 nm), 测量了BaWO4晶体各级拉曼散射谱线的阈值和增益系数, 受激拉曼散射的整体转换效率高达78%。当抽运光为355 nm皮秒激光脉冲时观察到3级斯托克斯线(366.52 nm, 379.40 nm, 393.22 nm), 根据一级斯托克斯线的抽运阈值得到相应的拉曼增益为51.8±2.7 cm/GW。实验表明BaWO4晶体具有易生长、透光波段宽、抗光损伤能力强、增益系数大等优点, 有望在全波段可见激光的产生方面获得重要应用。

采用熔体提拉法生长出了高质量的a轴和c轴GdVO4单晶。测量了GdVO4晶体的室温透过光谱, 结果表明GdVO4晶体的短波透过截止边为338 nm, 长波透过截止边大于3000 nm, 透过范围覆盖紫外、可见、近红外和部分中红外波段, 因此可以在较宽波长范围内实现拉曼激光频移。研究了GdVO4晶体在532 nm和355 nm皮秒激光脉冲抽运下的受激拉曼散射(SRS)。采用腔外单次通过方式, 获得了3级斯托克斯线(557.98 nm,586.86 nm,618.92 nm)和1级反斯托克斯线(508.01 nm), 得到GdVO4晶体一级斯托克斯拉曼散射的稳态增益系数为26.6±0.2 cm/GW, 二级斯托克斯拉曼散射的稳态增益系数为14.0±0.2 cm/GW, 受激拉曼散射的整体转换效率达到43%。报道了GdVO4晶体355 nm激发的受激拉曼散射, 观察到2级斯托克斯谱线(365.9 nm,378.1 nm), 在此条件下测得一级斯托克斯谱线的拉曼增益高达114±9 cm/GW。

采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd∶LuVO₄晶体，利用Cr⁴⁺∶YAG晶体作为可饱和吸收元件，实现了1．06μm激光的被动调Q运转．在泵浦功率为19．1W时，获得最高平均输出功率为4．58W，脉冲宽度为84ns，单脉冲能量为36．6μJ以及峰值功率为436．2W的激光脉冲．

报道了YVO4晶体在532 nm、30 ps脉冲下的的高效受激拉曼散射。采用腔外单次通过方式测量了不同长度YVO4晶体1阶斯托克斯受激拉曼散射的阈值,并得到该晶体的稳态增益系数为16.0±0.5 cm/GW。实验中观察到2阶斯托克斯线(558.6 nm、587.8 nm)和1阶反斯托克斯线(508.0 nm),受激拉曼散射的整体转换效率高于50%。

报道了一种新型激光二极管(LD)端面抽运Nd∶GdVO4微片激光器,测量了抽运输入功率与激光输出功率的关系,激光阈值功率为83 mW,在2 W的抽运功率下得到860 mW的1.064 μm基横模连续激光输出,光-光转换效率为43%,最大斜度效率达到47%。

研究了系列Ce∶Fe掺杂以及不同后处理态(生长态、还原态和氧化态)铌酸锂晶体的透过率光谱和光折变全息存储特性。实验结果表明单掺Ce铌酸锂晶体具有较好的图像存储质量和较宽的透过率光谱范围，二波耦合增益相对较低；高掺杂铌酸锂样品的透过率光谱范围较窄,光折变二波耦合增益较低。晶体的后处理对铌酸锂样品的光折变特性影响明显，双掺Ce∶Fe还原态铌酸锂晶体具有较高的二波耦合增益；氧化态样品具有较大的透过率光谱范围；还原态样品具有较大的光折变二波耦合增益特性。实验结果还表明在同种样品中难于同时获得大的二波耦合增益和图像存储质量。

报道了采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd∶GdVO4晶体,利用GaAs晶片兼作饱和吸收被动调Q元件和输出耦合镜,实现了1.06 μm激光的被动调Q运转.在泵浦功率为13.9 W时,获得最高平均输出功率为3.6 W,脉冲宽度为252 ns,单脉冲能量为27 μJ以及峰值功率为107 W的激光脉冲.

用前向二波耦合实验方法,对几种掺杂的LiNbO3晶体的光折变性质中出现的光伏现象进行了研究。在双掺杂的Ce:Fe:LiNbO3晶体中得到强纵向光伏效应,该效应可以对衍射效率产生59.7%的调制;在单掺杂的Ce:LiNbO3和Zn:LiNbO3等晶体中,得到由横向光伏效应产生的偏振态记录光栅。