1 哈尔滨工业大学 可调谐(气体)激光技术重点实验室, 黑龙江 哈尔滨 150080
2 深圳航天工业技术研究院, 广东 深圳 518000
3 天津津航技术物理研究所 天津市薄膜光学重点实验室, 天津 300308
平面激光诱导荧光是基于片状激光光束, 激发流场中自由基或示踪粒子辐射荧光, 通过对该荧光成像获得流场空间分布信息的一种成像诊断技术。脉冲串激光器是目前能够满足高速平面激光诱导荧光技术对高重频、大能量激光光源需求的有效光源。本文针对应用于高速平面激光诱导荧光成像诊断中的脉冲串激光器进行了综述, 对比了脉冲串激光不同产生方式的特点, 阐述了发展状况, 并对作为高速激光诊断光源的脉冲串激光器的发展前景做了展望。
平面激光诱导荧光 脉冲串激光 调Q技术 半导体激光器泵浦 laser diagnosis burst-mode Q-switched LD-pumped 光学 精密工程
2019, 27(10): 2116
1 山东大学晶体材料国家重点实验室，济南 250100
2 深圳大学工程技术学院，深圳 518060
采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd∶LuVO4晶体，利用Cr4+∶YAG晶体作为可饱和吸收元件，实现了1．06μm激光的被动调Q运转．在泵浦功率为19．1W时，获得最高平均输出功率为4．58W，脉冲宽度为84ns，单脉冲能量为36．6μJ以及峰值功率为436．2W的激光脉冲．
半导体激光器泵浦 Nd∶LuVO4晶体 被动调Q Diode-end-pumped Nd∶LuVO4 Cr4+∶YAG Cr4+∶YAG Passively Q-switched
1 深圳大学工程技术学院,深圳,518060
2 天津大学精密仪器与光电子工程学院,天津,300072
3 烟台大学环境工程与材料学院,烟台,264005
4 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
报道了采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd∶GdVO4晶体,利用GaAs晶片兼作饱和吸收被动调Q元件和输出耦合镜,实现了1.06 μm激光的被动调Q运转.在泵浦功率为13.9 W时,获得最高平均输出功率为3.6 W,脉冲宽度为252 ns,单脉冲能量为27 μJ以及峰值功率为107 W的激光脉冲.
半导体激光器泵浦 Nd∶GdVO4晶体 被动调Q GaAs
1 华中理工大学光电子工程系, 武汉 430074
2 武汉激光技术国家实验室, 武汉 430074
利用1.47 μm及1.45 μm半导体激光器泵浦的掺铒光纤放大器进行了实验研究。结果表明,用1.45 μm半导体激光器泵浦掺铒光纤也能对信号光放大。用1.45 μm和1.47 μm半导体激光器双向泵浦掺铒光纤,获得了27 dB的增益。
半导体激光器泵浦 掺铒光纤 激光放大
实现了LD泵浦Nd:YAG微片激光器的室温运转，当泵浦功率为340 mW时，1.06 μm激光的CW输出功率为62.5 mW，总的光-光效率为18%。本文简述了实验装置、结果，研究了微片激光器的一些输出特性。
半导体激光器泵浦 微片激光器
