华东师范大学 信息科学技术学院 极化材料与器件教育部重点实验室，上海 200241
针对高灵敏度量子点-量子阱光电器件宽动态的光电响应特性，进行大的动态范围读出设计，对比分析了不同积分电容的CTIA读出结构的测试结果，设计一款低噪声增益自动可调放大器的读出结构，使输出动态范围扩展了26dB，，获得较好的读出信噪比。
量子点-量子阱光电探测器 动态范围 灵敏度 信噪比 低噪声增益可调放大器读出 quantum dots in well photodetector sensitivity SNR dynamic range low noise gain-adaptive amplifier readout
华东师范大学信息科学技术学院 极化材料与器件教育部重点实验室, 上海 200241
通过对特殊设计的GaAs/InGaAs 量子点-量子阱光电二极管的I-V 和C-V 特性测试, 验证了器件的光子存储特性, 在器件的读出设计中引入了特殊设计的带倒空信号的基于电容反馈互导放大器和相关双采样（CTIA-CDS）型读出电路。在633 nm 辐照下, 分别改变照度和积分时间进行了非倒空和倒空测试的对比研究, 并计算给出了对应的存储电荷变化量, 进一步证明了光电器件的光子存储特性。
量子点-量子阱光电二极管 光子存储 CTIA 读出电路 倒空信号 GaAs/InGaAs GaAs/InGaAs quantum dot in well optical storage CTIA readout circuit dumping
1 华东师范大学信息学院电子系，上海 200062
2 中国科学院上海技术物理所，红外物理国家重点实验室，上海 200083
在量子阱红外探测器(QWIP)上制备光栅的目的是对垂直入射的红外辐射进行有效的耦合。为了研究光栅的光耦合性能，基于模式扩展理论，详细计算长波(14．7 μm)QWIP二维周期矩形光栅的耦合效率。计算结果表明，光栅周期D=4．7μm，栅孔深度h=1．45 μm，d(栅孔)／D=0．707时，光栅的耦合效率达到最大。并且从几何光学的考虑出发，对计算结果进行了验证和分析。还讨论了二维周期光栅衍射光场的分布情况。
光电子学 周期光栅 耦合效率 焦平面阵列 optoelectronics 2-d grating coupling efficiency QWIP QWIP FPA
1 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083
2 中国科学院物理研究所,北京,100080
GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器由于其所依据的GaAs基材料较为成熟的材料生长和器件制备工艺,使其特别适合于高均匀性、大面积红外焦平面的应用.报道了甚长波256×1元GaAs/A1GaAs多量子阱红外焦平面器件的研制成果,探测器的峰值波长为15 μm,响应带宽大于1.5 μm.在40 K工作温度下,器件的平均黑体响应率Rp=3.96×106 V/W,平均黑体探测率为D*b=1.37×109 cm·Hz1/2/W,不均匀性为11.3%,并应用研制的器件获得了物体的热像图.
量子阱 焦平面 甚长波 红外探测器
1 华东师范大学,信息科学与技术学院,上海,200062
2 中国科学院上海技术物理所,红外物理国家重点实验室,上海,200083
在厚膜多孔硅(PS)/氧化多孔硅(OPS)衬底上,结合聚酰亚胺涂层改善表面,研制低损耗、高性能射频(RF)/微波(MW)共平面波导CPW(Coplanar Waveguide).通过在N和P型硅上形成不同厚度PS膜,并对其上的CPW进行分析比较,厚膜PS与石英的共面波导插入损耗非常接近,远小于在2000Ω·cm高阻硅上形成的多晶硅-氧化硅组合衬底:在0-33GHz范围,插入损耗小于5dB/1.2cm;33-40GHz范围,小于7.5dB/1.2cm.
射频(RF)/微波(MW) 多孔硅/氧化多孔硅 共面波导 插入损耗 RF/microwave PS/OPS CPW（coplanar waveguide） insertion loss
