王栋浩 1,2,3,4,*寇华敏 3邵冲云 5姜大朋 3[ ... ]苏良碧 1,2,3,4
作者单位
摘要
1 中国科学技术大学稀土学院, 合肥 230026
2 中国科学院赣江创新研究院, 赣州 341000
3 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海 201899
4 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800
5 4.中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800
氟化钙晶体的抗γ射线辐照性能是其在太空应用的关键性能之一。本文报道了痕量La杂质对氟化钙晶体γ辐照诱导色心的影响。主要采用吸收光谱、电子顺磁共振(EPR)等手段对辐照前后存在不同痕量La杂质的氟化钙晶体进行研究。结果表明, 辐照后的氟化钙晶体产生多个色心吸收带, 且吸收带的吸收系数随辐照剂量和La杂质浓度增加而增加。EPR证实这种吸收带的形成是由氟化钙晶体中F心引起的, 而La3+的存在影响氟化钙晶体F心的稳定性和光谱位置, 本文提出了La3+与氟化钙晶体中F心存在的可能机制。
CaF2晶体 色心 γ辐照 La杂质 痕量 CaF2 crystal color center γ-irradiation La impurity trace 
人工晶体学报
2023, 52(4): 571
作者单位
摘要
1 中国科学院上海硅酸盐研究所, 透明光功能无机材料重点实验室, 上海 201899
2 武汉工程大学, 湖北省光学信息技术重点实验室, 武汉 430205)
采用多孔坩埚温度梯度法生长了0.6at%Eu∶CaF2晶体和共掺0.6at%Eu, 6.4at%Na∶CaF2, 0.6at%Eu, 6.4at%Gd∶CaF2晶体。XRD测试表明晶体仍均表现为纯CaF2的立方相, 共掺后吸收强度降低。以398 nm氙灯激发晶体材料, 荧光光谱表明共掺调剂离子后可明显增加Eu2+在424 nm处的发光强度, 而Eu3+的特征发射5D0→7FJ(J=1, 2, 3, 4) 除了表现出半峰宽变大外, 峰位和强度均无明显变化。0.6at%Eu, 6.4at%Gd∶CaF2表现出Eu3+的5D2→7F3和5D0→7F0特征发射峰, 主要可能归因于共掺Gd3+后打破了非反演对称结构, R值(电、磁偶极跃迁比值)明显降低, 提高了晶体格位结构的对称性。共掺Na+后在CIE色域坐标图上显示坐标由(0.303 7,0.142 5)可变为(0.204 3,0.062 6), 对应从紫色到蓝色的色域调控。
Eu∶CaF2晶体 光谱调控 发光 Na+/Gd3+共掺 多孔坩埚温度梯度法 Eu∶CaF2 crystal spectroscopy tailoring luminescence co-doping Na+/Gd3+ porous crucible temperature gradient method 
人工晶体学报
2020, 49(8): 1548
作者单位
摘要
1 同济大学材料科学与工程学院, 上海 201804
2 中国科学院上海硅酸盐研究所人工晶体研究中心, 上海 200050
在1060~1100 ℃的温度范围内和真空条件下对Nd,Y∶SrF2激光晶体进行了高温退火处理,测试了高温退火前后Nd,Y∶SrF2晶体的X射线双晶摇摆曲线、抗弯强度、应力分布和波前畸变图谱。结果表明,高温退火能有效改善晶体的结晶性能、抗弯强度、应力分布和光学均匀性。当退火温度为1080 ℃、退火时间为36 h时,获得的晶体综合性能最优,该温度和时间为最佳退火参数。
材料 Y∶SrF2晶体 退火 结晶性能 抗弯强度 应力分布 光学均匀性 
中国激光
2017, 44(3): 0303005
作者单位
摘要
1 上海大学电子信息材料系, 上海 200444
2 中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海 201800
采用温梯法生长了两种不同掺杂浓度的Nd,Y∶CaF2晶体(0.6%Nd,5%Y∶CaF2,0.8%Nd,5%Y∶CaF2,其浓度均由原子数分数表示),并测试了两种晶体样品的吸收光谱、发射光谱和荧光寿命。实验发现共掺Y3+可有效抑制浓度猝灭效应,改善晶体的光谱性能。共掺Y3+后Nd,Y∶CaF2在1.06 μm处的发射带宽达到26 nm,其带宽与钕玻璃相当。光谱测试表明两种晶体的最强发射峰均位于1054 nm,其中0.6%Nd,5%Y∶CaF2的荧光寿命为333 μs,发射截面为3.6×10-20 cm2,荧光量子效率为76.7%。采用0.6%Nd,5%Y∶CaF2晶体在1.56 W的抽运功率下获得了413.3 mW 的连续激光输出,斜率效率达到28.15%。
材料 激光晶体 Y∶CaF2晶体 激光二极管 浓度猝灭 
中国激光
2013, 40(s1): s106002
晶体光谱特性下载:600次
张连翰 1,*杭寅 2,3孙敦陆 1钱小波 2,3[ ... ]殷绍唐 1
作者单位
摘要
1 中国科学院安徽光学精密机械研究所,安徽 合肥 230031
2 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
3 昆山上光富晶光电材料有限公司,江苏 昆山 215316
测量了0.8 at.-% Nd3+:Y0.5Gd0.5VO4的吸收光谱和荧光发射谱,光谱显示该晶体在808.5 nm有很强的偏振光吸收峰,且π偏振光(E∥C)吸收远强于σ偏振光(E⊥C)吸收,半高宽度分别为4.5 nm和12 nm,吸收截面分别为19.69×10-20 cm2和6.41×10-20 cm2;其荧光发射( 4F3/2→ 4I11/2跃迁)峰值波长在1064 nm,半高宽度为3.7 nm; 4F3/2→ 4I11/2跃迁的荧光寿命为110 μs;光谱特性表明Nd3+:Y0.5Gd0.5VO4晶体是潜在的高效率激光晶体材料.
光谱分析 Nd3+:Y0.5Gd0.5VO4晶体 吸收光谱 荧光发射谱 荧光寿命 
中国激光
2004, 31(3): 339

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