通过对低压化学气相沉积制得的CoSb3纳米薄膜在300~800K温度范围内的热电性能测试，发现其电阻率较其他单晶CoSb3块状样品低一个量级，热导率值在1.08~4.05 Wm－1K－1之间，比单晶CoSb3低得多.这表明纳米结构导致热导率显著降低,最高热电优值在773K出现且为0.114.这种纳米薄膜材料在研制新型高效热电半导体方面极具应用前景.
纳米材料 低压化学气相沉积 热电性 半导体 Nanomaterials CoSb3 CoSb3 Low pressure chemical vapor deposition Thermoelectric properties Semiconductors
