1 中国科学院上海技术物理所 a.红外成像材料与器件重点实验室
2 中国科学院上海技术物理所 b.红外物理国家重点实验室,上海 200083
根据光整流效应辐射太赫兹理论，计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射性能.通过与〈110〉、〈111〉晶向对比，当晶体方位角为0°或180°时，利用〈331〉晶向ZnTe单晶辐射太赫兹信号可以与〈111〉晶向相当，强于〈110〉晶向.利用电光取样原理，计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹探测性能，通过理论计算为〈331〉晶向ZnTe 晶体有效辐射太赫兹波提供理论依据.
太赫兹辐射 光整流效应 电光效应 ZnTe单晶 〈331〉晶向 THz emitter Optical rectification Electro-optic sampling ZnTe 〈331〉-oriented
