1 中国科学院上海技术物理所 a.红外成像材料与器件重点实验室
2 中国科学院上海技术物理所 b.红外物理国家重点实验室,上海 200083
根据光整流效应辐射太赫兹理论，计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射性能.通过与〈110〉、〈111〉晶向对比，当晶体方位角为0°或180°时，利用〈331〉晶向ZnTe单晶辐射太赫兹信号可以与〈111〉晶向相当，强于〈110〉晶向.利用电光取样原理，计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹探测性能，通过理论计算为〈331〉晶向ZnTe 晶体有效辐射太赫兹波提供理论依据.
太赫兹辐射 光整流效应 电光效应 ZnTe单晶 〈331〉晶向 THz emitter Optical rectification Electro-optic sampling ZnTe 〈331〉-oriented
1 中科院上海技术物理所红外国家重点实验室, 上海 200083
2 上海大学物理学院, 上海 200444
通过Te熔剂方法生长出〈110〉晶向的ZnTe单晶，利用X射线衍射(XRD)及拉曼光谱对该材料进行了测试.详细研究了太赫兹时域光谱系统中该ZnTe单晶作为激发和探测晶体的辐射和探测特性.结果表明在钛-宝石激光器的泵浦下，Te熔剂方法生长的〈110〉晶向的ZnTe晶体表现出良好的THz辐射性能，室温下激发频谱可达3THz以上.
ZnTe单晶 太赫兹时域光谱系统(THz—TDS) Te溶剂方法 ZnTe crystal terahertz-time domain spectroscopy(THz-TDS) Te-solvent method
