1 中国科学院上海技术物理所 a.红外成像材料与器件重点实验室
2 中国科学院上海技术物理所 b.红外物理国家重点实验室,上海 200083
根据光整流效应辐射太赫兹理论，计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射性能.通过与〈110〉、〈111〉晶向对比，当晶体方位角为0°或180°时，利用〈331〉晶向ZnTe单晶辐射太赫兹信号可以与〈111〉晶向相当，强于〈110〉晶向.利用电光取样原理，计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹探测性能，通过理论计算为〈331〉晶向ZnTe 晶体有效辐射太赫兹波提供理论依据.
太赫兹辐射 光整流效应 电光效应 ZnTe单晶 〈331〉晶向 THz emitter Optical rectification Electro-optic sampling ZnTe 〈331〉-oriented
1 中国科学院上海技术物理所红外国家重点实验室,上海 200083
2 上海大学 物理学院,上海 200444
通过Te熔剂方法生长出〈331〉晶向的ZnTe体单晶, 利用X射线衍射和红外透射显微技术对材料进行了测试.在钛-宝石激光器的泵浦下, 利用〈331〉晶向的ZnTe晶体辐射－探测到太赫兹波, 激发频谱可达5 THz左右.〈331〉晶向的ZnTe晶体表现出良好的太赫兹辐射性能.
太赫兹激发与探测 II-VI族半导体材料 〈331〉晶向 Terahertz emission and detection II-VI semiconductor crystal 〈331〉 oriented
