1 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083
利用移动加热区方法(THM)生长了不同Cd组分的Hg1-xCdxTe晶体，通过傅立叶光谱仪和太赫兹时域光谱系统，研究了不同Cd组分Hg1-xCdxTe晶体在红外波段和太赫兹波段的透射光谱.当Cd组分小于0.279时,Hg1-xCdxTe材料在0.2~1.5 THz波段透过率接近0.在0.9 THz附近观察到Hg1-xCdxTe晶体的TA声子振动模式.利用德鲁德(Drude)模型对实验值进行拟合，得出组分x=0.388和0.326的Hg1-xCdxTe晶体的载流子浓度，与测得的实验值较为吻合.
太赫兹时域光谱 Hg1-xCdxTe晶体 载流子 Terahertz time-domain spectroscopy (THz-TDS) Hg1-xCdxTe crystal Carrier
1 中国科学院上海技术物理所 a.红外成像材料与器件重点实验室
2 中国科学院上海技术物理所 b.红外物理国家重点实验室,上海 200083
根据光整流效应辐射太赫兹理论，计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射性能.通过与〈110〉、〈111〉晶向对比，当晶体方位角为0°或180°时，利用〈331〉晶向ZnTe单晶辐射太赫兹信号可以与〈111〉晶向相当，强于〈110〉晶向.利用电光取样原理，计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹探测性能，通过理论计算为〈331〉晶向ZnTe 晶体有效辐射太赫兹波提供理论依据.
太赫兹辐射 光整流效应 电光效应 ZnTe单晶 〈331〉晶向 THz emitter Optical rectification Electro-optic sampling ZnTe 〈331〉-oriented
1 上海大学 理学院 物理系, 上海200444
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室, 上海200083
利用飞秒微加工和磁控溅射技术, 在熔融石英衬底上设计并制作了不同结构的金属线栅, 通过太赫兹时域光谱系统研究了线栅结构对太赫兹波偏振透射特性的影响, 并用有限时域差分法对实验结果进行了模拟验证.分析了影响S和P两个偏振方向太赫兹波透射的物理机制.为制作太赫兹波段偏振器件提供了有益的参考.
金属线栅 太赫兹 飞秒激光 偏振度 metallic wire grating terahertz femtosecond laser pulse degree of polarization
1 中科院上海技术物理所红外国家重点实验室, 上海 200083
2 上海大学物理学院, 上海 200444
通过Te熔剂方法生长出〈110〉晶向的ZnTe单晶，利用X射线衍射(XRD)及拉曼光谱对该材料进行了测试.详细研究了太赫兹时域光谱系统中该ZnTe单晶作为激发和探测晶体的辐射和探测特性.结果表明在钛-宝石激光器的泵浦下，Te熔剂方法生长的〈110〉晶向的ZnTe晶体表现出良好的THz辐射性能，室温下激发频谱可达3THz以上.
ZnTe单晶 太赫兹时域光谱系统(THz—TDS) Te溶剂方法 ZnTe crystal terahertz-time domain spectroscopy(THz-TDS) Te-solvent method
1 中国科学院上海技术物理所红外国家重点实验室,上海 200083
2 上海大学 物理学院,上海 200444
通过Te熔剂方法生长出〈331〉晶向的ZnTe体单晶, 利用X射线衍射和红外透射显微技术对材料进行了测试.在钛-宝石激光器的泵浦下, 利用〈331〉晶向的ZnTe晶体辐射－探测到太赫兹波, 激发频谱可达5 THz左右.〈331〉晶向的ZnTe晶体表现出良好的太赫兹辐射性能.
太赫兹激发与探测 II-VI族半导体材料 〈331〉晶向 Terahertz emission and detection II-VI semiconductor crystal 〈331〉 oriented
