中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800
运用分子束外延(MBE)技术成功地生长出Zn1-ｘCdxSe/ZnSe超晶格,并对不同的样品进行了拉曼散射光谱的测试。获得了多达5级的ZnSe的LO声子峰和ZnSe的TO声子峰；同时还在频移为144 cm-1、370 cm-1处观测到了两个新声子峰,估计是来自于ZnCdSe的声学模和光学模。
分子束外延 超晶格
1 中国科学院上海光学精密机械研究所量子光学联合开放实验室, 上海 201800
2 中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室, 长春 130021
在16K至室温范围内测量了ZnSe-ZnS应变层超晶格的激子吸收谱.观测到对应于1E-1HH1E-1LH及1E-3HH跃迁的三个激子吸收峰.
吸收谱 激子能级 应变层超晶格
本文首次报道室温下测量的分子束外延生长的ZnSe-ZnTe应变层超晶格的远红外反射谱.得到了ZnSe、ZnTe横光学声子摸.用长波长超晶格介电理论和多层吸收薄膜理论进行曲线拟合,确定Ⅱ-Ⅵ族ZnS、eZnTe材料的一些基本材料参数,如横光学声子频率、模衰减常数、模振荡强度、高频介电常数等.本文首次报道这些参数.
应变层超晶格 远红外反射 分子束外延 横光学声子模
