作者单位
摘要
枣庄学院 光电工程学院,山东 枣庄 277160
基于Mie散射理论,对不同基质中碳化硅材料在反常、正常色散区内的光学截面进行了对比计算与分析。研究表明基质折射率对不同色散区中的光学截面所起的作用完全不同,揭示了入射波长、基质折射率对光学截面影响的内在规律。研究结果为该材料光学特性方面的研究和应用提供了理论参考。
反常色散 正常色散 Mie散射 光学截面 anomalous dispersion normal dispersion Mie scattering optical sections SiC SiC 
半导体光电
2011, 32(6): 816

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!