1 中国科学院 深圳先进技术研究院，广东 深圳 518000
2 深圳市三利谱光电科技股份有限公司 研发中心，广东 深圳 518107
3 河北工业大学 理学院，天津 300401
本文使用理论与实验相结合的方法研究了斜入射下液晶涂布型C-plate（Liquid crystal coated C-plate，LCC）对逆分散1/4波片（Reverse wavelength dispersion quarter wave plate，RQWP）补偿能力的优化特性。使用扩展琼斯矩阵比较了偏振光以任意角度通过RQWP、RQWP+LCC两种架构后出射光的椭圆率，探究了不同相位延迟RTH的LCC对出射光椭圆率的影响；测试了上述两种架构的圆偏光片在OLED（Organic light emitting-diode display）上的环境光反射率以及反射颜色色坐标。结果表明，LCC能够使45°斜入射时出射光的椭圆率提升10%以上，且在红、绿、蓝三色光条件下，调整LCC的RTH可使膜材架构的总折射率系数NZ趋近于0.5，获得最佳效果。使用RQWP+LCC架构的圆偏光片可使45°极角下OLED的环境光反射率降低3%。在工业生产中直接生产NZ=0.5的膜材拥有较高的技术难度，本文结论对开发NZ=0.5的膜材提供了新的可行方案。
斜入射 扩展琼斯矩阵 椭圆率 1/4波片 oblique incidence extended jones matrix method ellipticity quarter wave plate
1 河北工业大学 应用物理系, 天津 300401
2 河北工业大学 电子信息工程学院, 天津 300401
3 天津市材料器件重点实验室, 天津 300401
基于Landau-de Gennes理论, 研究了向列相同轴结构球形液滴的尺寸效应以及电场下的动力学过程。结果表明: 同轴结构在半径r≥6.5 μm的范围内稳定存在。当r≤5.1 μm时只存在双极结构, 5.2 μm≤r<6.5 μm时为双极结构与同轴结构均存在的双稳态。外电场存在时, 当0≤E/E0≤0.002 4(使用E0 对电场进行约化, E0=33.7 V/μm)时, 液晶分子逐渐沿电场方向排列; 当0.002 7≤E/E0≤0.003时, 弹性能、表面能和电场能相互竞争诱导出第一次结构转变, 使液滴内出现类双极结构; 当0.003 3≤E/E0 <0.013 4时, 赤道面内及附近指向矢垂直电场方向排列, 其余部分上下对称且沿电场方向排列; 当电场强度达到阈值Ec/E0 =0.013 4时, 发现第二次结构转变, 液滴内大部分液晶分子通过动力学过程实现了从中心轴到边界逐点沿电场方向的转动, 该现象首次在同轴结构液滴中出现。
Landau-de Gennes理论 同轴结构 结构转变 动力学过程 Landau-de Gennes theory concentric configurations structural transition dynamic process
1 河北工业大学 理学院, 天津300401
2 河北冀雅电子有限公司, 河北 石家庄 050071
基于Landau-de Gennes理论, 利用松弛迭代法, 研究了电场诱导平行排列向列相液晶系统中的3种畴壁, 以及畴壁中的挠曲电效应和自发扭曲效应。结果表明, 畴壁存在的电压范围为0.2≤E/E0≤1.2(E0=1.45 V/μm)。单一常数近似下, 相反方向外电场的挠曲电效应对扭曲壁中扭曲角的影响关于90°对称; 对混合壁中扭曲角的影响是非对称的; 对展-弯壁无影响。弹性各向异性时, 外电场会诱导自发扭曲效应。该效应会使展-弯壁与混合壁中指向矢均由原角度变为90°, 即沿壁切线方向排列; 对扭曲壁结构无影响。挠曲电效应会在自发扭曲的基础上, 对畴壁中指向矢扭曲角产生叠加影响。
Landau-Gennes理论 畴壁 弹性各向异性 挠曲电效应 自发扭曲效应 Landau-de Gennes theory domain walls elastic anisotropy flexoelectric effect spontaneous distortion effect
基于Landau-de Gennes理论, 利用松弛迭代法, 研究了电场对垂直排列(VA)液晶薄盒和反扭曲向列相(ITN)液晶薄盒的影响。两系统在相同条件下的倾角变化相同, 且系统双轴性与本征值的变化只取决于倾角的变化。研究表明, 当盒厚大于一定临界值时, 液晶系统一直处于正序参数态, 此时ITN 薄盒的扭曲角由线性排列逐渐变化到呈45°角排列; 当小于此临界盒厚时, 在一定电压下会出现负序参数单轴态, 此时ITN薄盒的扭曲角会偏离线性变化出现回滞。
Landau-Gennes理论 负序参数单轴态 本征值交换 临界盒厚 Landau-Gennes theory negative order parameters uniaxial state eigenvalue exchange critical cell gap
基于Landau-de Gennes理论, 利用松弛迭代的方法, 研究了包含-1/2向错线的混合排列（HAN）液晶盒中, 平行于向错线的电场所诱导的结构转变。结果表明, 盒厚固定时, 电场诱导五种结构转变过程; 电场固定时, 盒厚变化产生三类结构转变方式。力曲线上的极小值确定了液晶系统发生结构转变的临界盒厚。
有序重构 Landau-de Gennes理论 -1/2向错 力曲线 order reconstruction Landau-de Gennes theory -1/2 defect force curve
