上海交通大学 电子信息与电气工程学院 薄膜与微细技术教育部重点实验室, 上海 200240
基于单壁碳纳米管(SWCNT)/单层石墨烯/GaAs双异质结结构构筑了自驱动近红外光电探测器, 利用GaAs优异的光电特性和石墨烯的高载流子迁移率特点, 该光电探测器在无偏压情况下光电响应率可达393.8mA/W, 比探测率达到6.48×1011Jones, 开关比为103。而且, 利用半导体性SWCNT对近红外光子的高吸收特性以及SWCNT/石墨烯异质结对SWCNT产生光生载流子进行有效分离, 使得该双异质结光电器件的光谱响应可拓展至1064nm, 突破了GaAs自身的响应极限860nm。
单壁碳纳米管 石墨烯 异质结 光电探测器 SWCNT SWCNT carbon nanotube graphene GaAs GaAs heterojunction photodetector
