1 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室, 郑州 450052
2 河南农业大学理学院, 郑州 450002
用磁控溅射制备了非晶硅薄膜, 用波长为532 nm的连续激光退火和显微Raman光谱原位测试技术和场发射扫描电子显微镜研究了非晶硅薄膜在不同激光功率密度和不同扫描速度下的晶化状态。结果表明, 激光照射时间10 s, 激光功率密度大于2.929×105 W/cm2时, 能实现非晶硅薄膜晶化。在激光功率密度为5.093×105 W/cm2, 扫描速度为10 mm/s时非晶硅开始向多晶硅转化。在5.093×105 W/cm2的功率密度下, 以1.0 mm/s的扫描速度退火非晶硅薄膜, 得到的晶粒直径为740 nm。
非晶硅薄膜 拉曼光谱 晶化 Amorphous silicon film Raman spectroscopy Crystallization
